西南交通大学《电力电子技术基础》在线作业一

奥鹏西南交通大学平时作业

西南交《电力电子技术基础》在线作业一

晶闸管稳定导通的条件( )
A:晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流
B:晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流
C:晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流
D:晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流
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逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( )
A:大功率三极管
B:逆阻型晶闸管
C:双向晶闸管
D:可关断晶闸管
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对于电力MOSFET，栅极不加电压时，电流（）
A:一定导通
B:可能导通
C:不能导通
D:不确定
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下列描述中不属于IGBT的特点有（）
A:开关速度快
B:耐高压
C:耐大电流
D:输入阻抗小
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输入相同的电压，三相桥式整流电路的输出电压是三相半波的（）
A:1倍
B:2倍
C:4倍
D:二分之一
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单相全控桥式整流大电感负载电路中,控制角的移相范围是( )
A:0~90
B:0~180
C:90~180
D:180~360
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相控交交变频电路的输出最高频率必须小于输入频率的（）
A:1/3
B:1/4
C:1/5
D:1/6
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电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )
A:电容
B:电感
C:蓄电池
D:电动机
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有源逆变发生的条件为( )
A:要有直流电动势
B:要求晶闸管的控制角大于900
C:直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致
D:以上说法均是错误的
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当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( )
A:导通状态
B:关断状态
C:饱和状态
D:不定
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IGBT具有以下哪三种极性？（）
A:门极K
B:栅极G
C:集电极C
D:发射极E
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电力变换的类型有（）
A:交流变直流
B:直流变交流
C:直流变直流
D:交流变交流
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相控整流电路的负载大致可以分为（）
A:电阻性负载
B:电感性负载
C:电容性负载
D:反电势负载
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按照开关控制能力，电力电子器件可分为（）
A:不可控器件
B:半空型器件
C:电压控制型器件
D:全控型器件
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直流斩波器的控制方式有（）
A:定频调宽控制
B:定宽调频控制
C:调频调宽混合控制
D:定频定宽控制
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GCT在导通状态时，具有如下特点（）
A:携带电流能力强
B:携带电流能力弱
C:通态压降低
D:通态压降高
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下列描述中属于电力MOSFET的特点有（）
A:驱动功率小
B:开关速度快
C:工作频率高
D:耐压高
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晶闸管具有以下哪三种极性？（）
A:阳极A
B:阴极K
C:门极K
D:栅极G
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变频电路可分为（）
A:交交变频
B:交直变频
C:交值交变频
D:直交变频
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下列关于功率二极管动态特性中描述正确的有（）
A:外加正向电压时，正向电流对结电容充电
B:外加电压反向时，正向电流立即截至下降至0
C:外加反向电压时，电流对结电容充电
D:外加电压反向，正向电流不能立即降至0
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三相半波可控整流电路又称为三相零式可控整流电路。
A:错误
B:正确
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IGCT的关断损耗低。
A:错误
B:正确
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晶闸管在正向阳极电压的作用下，一旦门极加入适当的信号，就可使晶闸管由“断态”变为“通态”。
A:错误
B:正确
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直流斩波器主要是给直流电动机供电。
A:错误
B:正确
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单极性SPWM调制波比双极性SPWM调制波的谐波分量要大些。
A:错误
B:正确
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交流变直流称为逆变。
A:错误
B:正确
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有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。
A:错误
B:正确
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逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失，电源缺相，或是逆变角太小造成的。
A:错误
B:正确
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GTO的擎住电流比维持电流小。
A:错误
B:正确
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晶闸管的导通角与触发角成正比。
A:错误
B:正确
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电流型逆变电路适合于谐波阻抗低、功率因数高的负载。
A:错误
B:正确
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功率二极管为半控型器件。
A:错误
B:正确
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相控交交变频电路换流失败时，会造成交流电源的短路。
A:错误
B:正确
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整流电路的功率因数为电网侧有功功率与视在功率之比。
A:错误
B:正确
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矩形波逆变电路的谐波含量较小。
A:错误
B:正确
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点阻性负载消耗电能，同时也能存储或放出电能。
A:错误
B:正确
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直流斩波器属于隔离型直直变换器。
A:错误
B:正确
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电力电子技术可看成是“强电控制弱电”的技术。
A:错误
B:正确
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三相半波可控整流电路与三相桥式整流电路相比，要输出相同的Ud，晶闸管承受的正、反向峰值电压较低。
A:错误
B:正确
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脉宽调制逆变电路存在开关频率高的缺点。
A:错误
B:正确
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整流二极管，晶闸管，双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。
A:错误
B:正确
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正常使用功率二极管时，加在其正、负（交流电压的峰值）不能超过击穿电压。
A:错误
B:正确
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相控整流电路在控制角较大时，功率因素较高，网侧电流谐波含量较小。
A:错误
B:正确
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变压器漏抗会使整流装置的功率因数变好，整流输出电压提高。
A:错误
B:正确
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电力MOSFET存在二次击穿问题。
A:错误
B:正确
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IGCT在导通期间发挥晶闸管的性能，在关断阶段则呈现类似晶体管的特性。
A:错误
B:正确
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电力MOSFET是双极性晶体管。
A:错误
B:正确
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半控桥式整流电路可以实现有源逆变。
A:错误
B:正确
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IGBT的开关速度高于功率场效应管。
A:错误
B:正确
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单相桥式逆变电路与半桥相比，幅值增大了一倍，谐波成分也增大一倍。
A:错误
B:正确
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