西南交通大学《电力电子技术基础》在线作业二

奥鹏西南交通大学平时作业

西南交《电力电子技术基础》在线作业二

三相半波整流电路带阻性负载时触发脉冲的移相范围为（）
A:0o-90o
B:0o-180o
C:0o-150o
D:0o-120o
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晶闸管稳定导通的条件( )
A:晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流
B:晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流
C:晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流
D:晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流
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相控交交变频电路的输出最高频率必须小于输入频率的（）
A:1/3
B:1/4
C:1/5
D:1/6
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三相半波可控整流电路的自然换相点是( )
A:交流相电压的过零点
B:本相相电压与相邻相电压正半周的交点处
C:比三相不控整流电路的自然换相点超前30
D:比三相不控整流电路的自然换相点滞后60
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单相全控桥式整流大电感负载电路中,控制角的移相范围是( )
A:0~90
B:0~180
C:90~180
D:180~360
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三相相控交交变频电路是由三组输出电压相位互差（）的单相相控交交变频电路组成
A:90o
B:120o#60o
C:180o
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可在第一和第四象限工作的交流电路是( )
A:三相半波可控变电流电路
B:半相半控桥
C:接有续流二极管的三相半控桥
D:接有续流二极管的单相半波可控变流电路
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单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角大于不导电角时,晶闸管的导通角=( )
A:-
B:+
C:–
D:+-
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快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件( )
A:功率晶体管
B:IGBT
C:功率MOSFET
D:晶闸管
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功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )
A:一次击穿
B:二次击穿
C:临界饱和
D:反向截止
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按照开奥鹏西南交通大学平时作业关控制能力，电力电子器件可分为（）
A:不可控器件
B:半空型器件
C:电压控制型器件
D:全控型器件
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相控整流电路实现有源逆变的条件有（）
A:负载侧存在直流电势
B:直流电势的绝对值大于整流输出电压的绝对值
C:晶闸管触发角大于90度
D:晶闸管触发角小于90度
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以下描述中，哪几项不是采用多重化电压源型逆变器的目的？（）
A:减小输出幅值
B:增大输出幅值
C:减小谐波分量
D:减小输出功率
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晶闸管触发脉冲的参数有（）
A:脉冲幅值
B:脉冲宽度
C:脉冲前沿陡度
D:脉冲输出功率
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下列描述中属于电力MOSFET的特点有（）
A:驱动功率小
B:开关速度快
C:工作频率高
D:耐压高
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电力电子技术的发展趋势有（）
A:高频化
B:模块化
C:数字化
D:绿色化
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下列关于功率二极管动态特性中描述正确的有（）
A:外加正向电压时，正向电流对结电容充电
B:外加电压反向时，正向电流立即截至下降至0
C:外加反向电压时，电流对结电容充电
D:外加电压反向，正向电流不能立即降至0
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晶闸管的换相重叠角与下列选项中的（）有关
A:触发角
B:变压器漏抗
C:平均电流
D:电源相电压
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变频电路可分为（）
A:交交变频
B:交直变频
C:交值交变频
D:直交变频
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GCT在导通状态时，具有如下特点（）
A:携带电流能力强
B:携带电流能力弱
C:通态压降低
D:通态压降高
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整流二极管，晶闸管，双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。
A:错误
B:正确
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直流斩波器主要是给直流电动机供电。
A:错误
B:正确
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单极性SPWM调制波比双极性SPWM调制波的谐波分量要大些。
A:错误
B:正确
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换相压降也消耗有功功率。
A:错误
B:正确
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GTO与普通晶闸管的主要不同点在于GTO可用门极控制关断点。
A:错误
B:正确
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正常使用功率二极管时，加在其正、负（交流电压的峰值）不能超过击穿电压。
A:错误
B:正确
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三相电压逆变电路可以采用“移相调压”的方式来调节输出电压。
A:错误
B:正确
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在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象
A:错误
B:正确
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单相桥式全控整流电路中，如果把电路中的两个晶闸管换成二极管，就组成了半相桥式半控整流电路。
A:错误
B:正确
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三相半波可控整流电路才能实现有源逆变。
A:错误
B:正确
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直流斩波器属于隔离型直直变换器。
A:错误
B:正确
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整流二极管的反向恢复时间很多，小于1微秒。
A:错误
B:正确
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IGCT在导通期间发挥晶闸管的性能，在关断阶段则呈现类似晶体管的特性。
A:错误
B:正确
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三相半波可控整流电路与三相桥式整流电路相比，要输出相同的Ud，晶闸管承受的正、反向峰值电压较低。
A:错误
B:正确
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点阻性负载消耗电能，同时也能存储或放出电能。
A:错误
B:正确
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电流型逆变电路的直流侧电源为电压源。
A:错误
B:正确
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按照内部载流子类型来分，IGBT属于双极型电力电子器件。
A:错误
B:正确
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IGBT的开通特性与电力MOSFET完全不同。
A:错误
B:正确
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电力电子技术可看成是“强电控制弱电”的技术。
A:错误
B:正确
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单相半波可控整流电阻性负载与电感性负载电路中，移相范围不同。
A:错误
B:正确
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在晶闸管导通的情况下，当主回路电流减小到接近于零时，晶闸管关断。
A:错误
B:正确
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晶闸管的导通条件为承受正向电压并施加门极触发信号。
A:错误
B:正确
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三相半波可控整流电路又称为三相零式可控整流电路。
A:错误
B:正确
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单相桥式逆变电路与半桥相比，幅值增大了一倍，谐波成分也增大一倍。
A:错误
B:正确
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在三相交流调压电路中，至少有一相正向晶闸管与另一相反向晶闸管同时导通。
A:错误
B:正确
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在带阻性负载的三相桥式全控整流电路中，当触发角为0度时，电路在自然换相点处换相。
A:错误
B:正确
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晶闸管是一个三层(PNPN)三端(A、K、G)器件。
A:错误
B:正确
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变压器漏抗会使整流装置的功率因数变好，整流输出电压提高。
A:错误
B:正确
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GTO的擎住电流比维持电流小。
A:错误
B:正确
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从外形进行区分，螺栓式晶闸管的粗辫子线为门极G。
A:错误
B:正确
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