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奥鹏期末考核
155227–华中师范大学《模拟电子技术》奥鹏期末考试题库合集
单选题：
（1）
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（2）纯净的、不含其他杂质的半导体称为( )。
A.本征半导体
B.杂质半导体
C.电子型半导体
D.空穴型半导体
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（3）PN结加正向电压时,空间电荷区将( ) 。
A.变窄
B.基本不变
C.变宽
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（4）半导体PN结在外加反向电压时,对其电流的形成无影响的是( )
A.多子
B.温度
C.少子
D.漂移运动
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（5）变容二极管在电路中使用时,其PN结是( )。
A.正向运用
B.反向运用
C.不确定
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（6）NPN三极管的输出特性曲线,一般将IB≤0的区域称为( ),三极管奥鹏期末考核的发射结和集电结都处于反向偏置状态。
A.截止区
B.放大区
C.饱和区
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（7）UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有( )。
A.结型管
B.增强型MOS管
C.耗尽型MOS管
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（8）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是( )
A.输入电压幅值不变，改变频率
B.输入电压频率不变，改变幅值
C.输入电压的幅值与频率同时变化
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（9）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的( )
A.差模放大倍数数值增大
B.抑制共模信号能力增强
C.差模输入电阻增大
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（10）为了减小放大电路的输出电阻,应引入( )负反馈。
A.电压
B.电流
C.串联
D.并联
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（11）当PN结()时,回路中产生一个较大的正向电流,PN结处于( )状态;当PN结( )时,回路中的反向电流非常小,几乎等于零,PN结处于( )状态。
A.正向偏置 截止 反向偏置 导通
B.正向偏置 导通 反向偏置 截止
C.反向偏置 截止 正向偏置 导通
D.反向偏置 导通 正向偏置 截止
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（12）当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。
A.前者反偏、后者也反偏
B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者也正偏
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（13）典型差放的RE对( )有抑制作用
A.差模信号
B.共模信号
C.差模和共模性信号都
D.差模和共模信号都没
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（14）共模信号是指大小相等,极性( )的信号。
A.相同
B.相反
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（15）改变输入电阻和输出电阻,应引入( )。
A.直流负反馈
B.交流负反馈
C.正反馈
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（16）
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（17）电子电路中常用的半导体器件有( )。
A.二极管
B.稳压管
C.双极型三极管
D.其他选项都选
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（18）差模信号是指大小相等,极性( )的信号。
A.相同
B.相反
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（19）在固定式偏置电路中,若偏置电阻RB的值增大了,则静态工作点Q将( )。
A.上移
B.下移
C.不动
D.上下来回移动
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（20）在深度负反馈时,放大器的放大倍数( )
A.仅与基本放大器有关
B.仅与反馈网络有关
C.与二者密切相关
D.与二者均无关
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（21）在输入量不变的情况下,若引入反馈后( ),则说明引入的反馈是负反馈。
A.输入电阻增大
B.输出量增大
C.净输入量增大
D.净输入量减小
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（22）在非线性失真中,饱和失真也称为().
A.顶部失真
B.底部失真
C.双向失真
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（23）杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为( )。
A.N型半导体
B.P型半导体
C.电子型半导体
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（24）在本征半导体中加入( )元素可形成N型半导体。
A.五价
B.四价
C.三价
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（25）一三极管三个极的对地电位分别是-6V,-3V,-3.2V,则该管是( )
A.PNP硅管
B.NPN锗管
C.NPN硅管
D.PNP锗管
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（26）在( )三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,输出特性曲线比较平坦,近似为水平的直线。
A.截止区
B.放大区
C.饱和区
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（27）二极管加正向电压时,其正向是由( )。
A.多数载流子扩散形成
B.多数载流子漂移形成
C.少数载流子漂移形成
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（28）使用稳压管组成稳压电路时,应使外加电源的正极接管子的( ),电源的负极接( ),以保证稳压管工作在反向击穿区,稳压管应与负载电阻( ),由于稳压管两端电压变化量很小,使输出电压比较稳定。
A.N区 P区 串联
B.N区 P区 并联
C.P区 N区 串联
D.P区 N区 并联
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（29）稳压二极管是利用PN结的( )。
A.单向导电性
B.反向击穿性
C.电容特性
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（30）
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（31）交流负反馈是指( )。
A.直接耦合放大电路中引入的负反馈
B.只有放大直流信号时才有的负反馈
C.在交流通路中的负反馈
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（32）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可能获得的最大( )
A.交流功率
B.直流功率
C.平均功率
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（33）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将( )。
A.增大
B.不变
C.减小
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（34）某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为5A和5 mA,输出端接2k电阻负载,测量到正弦电压信号峰—峰值1V,则AI( )。
A.46dB
B.40dB
C.43dB
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（35）温度影响了放大电路中的( ),从而使静态工作点不稳定。
A.电阻
B.电容
C.三极管
D.电源
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（36）
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（37）为了稳定放大电路的静态工作点,应引入( )。
A.直流负反馈
B.交流负反馈
C.正反馈
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（38）为了稳定放大电路的输出电压,应引入( )负反馈。
A.电压
B.电流
C.串联
D.并联
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（39）P型半导体是在本征半导体中加入( )后形成的杂质半导体。
A.空穴
B.三价元素硼
C.五价元素锑
D.电子
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（40）
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（41）集成运放中间级的作用是( )。
A.提高共模抑制比
B.提高输入电阻
C.提高放大倍数
D.提供过载保护
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（42）某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。
A.电压串联
B.电压并联
C.电流串联
D.电流并联
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（43）N型半导体是在本征半导体中加入( )后形成的杂质半导体。
A.空穴
B.三价元素
C.五价元素
D.电子
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（44）已知降压变压器次级绕组电压为12V,负载两端的输出电压为10.8V,则这是一个单相( )电路。
A.桥式整流
B.半波整流
C.桥式整流电容滤波
D.半波整流电容滤波
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（45）直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式(或变压器耦合式)多级放大电路相比,低频响应( )。
A.差
B.好
C.差不多
D.不好判断
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（46）
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（47）
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（48）串联负反馈放大电路环内的输入电阻是无反馈时输入电阻的( )。
A.1+AF倍
B.1/(1+AF)倍
C.1/F倍
D.1/AF倍
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（49）集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是( )。
A.反相输入端为虚地
B.输入电阻大
C.电流并联负反馈
D.电压串联负反馈
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（50）文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数( )才能满足起振条件。
A.为1/3时
B.为3时
C.>3
D.>1/3
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（51）桥式整流电路若变压器二次电压为,则每个整流管所承受的最大反向电压为( )。
A.
B.
C.20V
D.10V
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（52）
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（53）某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12k的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为( )。
A.10k
B.2k
C.4k
D.3k
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（54）为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入( )。
A.共射电路
B.共基电路
C.共集电路
D.共集-共基串联电路
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（55）与甲类功率放大方式比较,乙类OCL互补对称功放的主要优点是( )。
A.不用输出变压器
B.不用输出端大电容
C.效率高
D.无交越失真
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（56）有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的( )。
A.输入电阻大
B.输入电阻小
C.输出电阻大
D.输出电阻小
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多选题：
（1）为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用( )滤波电路;为了使滤波电路的输出电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用( )滤波电路 。
A.带阻
B.带通
C.低通
D.有源
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（2）UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有( )。
A.结型管
B.增强型MOS管
C.耗尽型MOS管
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（3）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( ),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。
A.耦合电容和旁路电容的存在
B.半导体管极间电容和分布电容的存在
C.半导体管的非线性特性
D.放大电路的静态工作点不合适
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（4）在选择功放电路中的晶体管时,应当特别注意的参数有( )。
A.ICM
B.ICBO
C.PCM
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（5）要求输入电阻大于10M,电压放大倍数大于300,第一级应采用( ),二级应采用( )。
A.共源电路
B.共集电路
C.共基电路
D.共射电路
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（6）以下说法正确的是（）。
A.直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路
B.直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量
C.当输入电压和负载电流变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的
D.一般情况下，开关型稳压电路比线性稳压电路效率高
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（7）二极管的主要参数有（）。
A.最大整流电流
B.反向击穿电压
C.反向电流
D.极间电容
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（8）
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（9）下列哪些是无源滤波器的特点（）。
A.增益低
B.高增益
C.频率选择性差
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（10）以下关于“电路的静态是指”说法错误的是（）。
A.输入交流信号幅值不变的状态
B.输入交流信号频率不变的状态
C.输入信号为零时的状态
D.输入信号为开路时的状态
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（11）共模抑制比越大表明电路（）。
A.Ad大而Ac小
B.Ad小而Ac大
C.抑制温漂能力越强
D.信号中差模成分越大
E.放大倍数越稳定
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（12）下列说法错误的有（）。
A.在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体
B.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电
C.PN结在无光照、无外加电压时结电流为零
D.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的
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（13）下列说法错误的是（）。
A.结型场效应管为耗尽型
B.结型场效应管为增强型
C.绝缘栅场效应管只能是耗尽型
D.绝缘栅场效应管只能是增强型
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（14）关于场效应管错误的说法有（）。
A.放大作用是完成在预夹断之后
B.它是由漏极电压控制漏极电流
C.工作在饱和区时出现饱和失真
D.放大作用是完成在预夹断之前
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（15）串联反馈式稳压电路的基本组成环节包括（）。
A.调整元件
B.采样环节
C.基准电压环节
D.比较放大环节
E.过载保护环节
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（16）输出电压与输入电压同相的电路是（）。
A.共射电路
B.共集电路
C.共基电路
D.共源电路
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（17）下列哪些不是直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是。（）
A.电阻阻值有误差
B.晶体管参数的分散性
C.晶体管参数受温度影响
D.电源电压不稳定
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（18）以下直接耦合放大电路中有电流放大作用的电路是（）。
A.共射电路
B.共集电路
C.共基电路
D.共源电路
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判断题：
（1）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( )
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（2）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;( )
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（3）
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（4）当OCL电路的最大输出功率为1W时,功放管的集电极最大耗散功率应大于1W。( )
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（5）互补输出级应采用共集或共漏接法。( )
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（6）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。( )
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（7）直流电源是一种能量转换电路,它将交流能量转换为直流能量。( )
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（8）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( )
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（9）只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( )
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（10）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。( )
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（11）运放的输入失调电流是两端电流之差。( )
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（12）运放的输入失调电压是两输入端电位之差。( )
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（13）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。( )
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（14）硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。
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（15）放大电路中的饱和失真与截止失真都属于非线性失真。
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（16）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uCuBuE。
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（17）既能放大电流，又能放大电压的电路是共射放大电路。
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（18）放大器输出信号的能量来源是晶体三极管。
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（19）负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。
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（20）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。
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（21）阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡。
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（22）如果输入信号的频率很低，最好采用阻容耦合放大器。
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（23）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入电流负反馈。
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（24）放大的实质不是对能量的控制作用。( )
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（25）功率的放大电路有功率放大作用,电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。( )
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（26）共模信号都是直流信号,差模信号都是交流信号。( )
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（27）电压串联负反馈有稳定输出电压和降低输入电阻的作用。( )
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（28）复合管的值近似等于组成它的各晶体管值的乘积。( )
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（29）滤波是将交流变为直流。( )
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简答题：
（1）将二极管短路,是否有电流产生?
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（2）交流电阻和直流电阻有何区别?三极管模型中等效电阻rbe是何种电阻?
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