新学期奥鹏教育西南交通大学《电力电子技术基础》在线作业一

奥鹏西南交通大学平时作业

西南交《电力电子技术基础》在线作业一

晶闸管稳定导通的条件( )
A:晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流
B:晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流
C:晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流
D:晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流
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使IGBT开通的驱动电压一般为（）V
A:0-5
B:5-10
C:10-15
D:15-20
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三相半波整流电路带大电感负载时触发脉冲的移相范围为（）
A:0o-90o
B:0o-180o
C:0o-150o
D:0o-121o
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逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( )
A:大功率三极管
B:逆阻型晶闸管
C:双向晶闸管
D:可关断晶闸管
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对同一个晶闸管来说，通常其擎住电流要（）维持电流
A:小于
B:大于
C:等于
D:小于或等于
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三相半波可控整流电路的自然换相点是( )
A:交流相电压的过零点
B:本相相电压与相邻相电压正半周的交点处
C:比三相不控整流电路的自然换相点超前30
D:比三相不控整流电路的自然换相点滞后60
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电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )
A:电容
B:电感
C:蓄电池
D:电动机
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使MOSFET开通的驱动电压一般为（）V
A:0-5
B:5-10
C:10-15
D:15-20
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一般可逆电路中的min选（）合理
A:30o-35o
B:10o-25o
C:0o-10o
D:0o
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在晶闸管应用电路中,为了防止误触反应将幅值限制在不触发区的新号是( )
A:干扰信号
B:触发电压信号
C:触发电流信号
D:干扰信号和触发信号
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相控整流电路实现有源逆变的条件有（）
A:负载侧存在直流电势
B:直流电势的绝对值大于整流输出电压的绝对值
C:晶闸管触发角大于90度
D:晶闸管触发角小于90度
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电力电子技术的发展趋势有（）
A:高频化
B:模块化
C:数字化
D:绿色化
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电力变换的类型有（）
A:交流变直流
B:直流变交流
C:直流变直流
D:交流变交流
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无源逆变电路可以输出（）
A:三角波
B:斜波
C:矩形波
D:脉宽调制波
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下列关于功率二极管动态特性中描述正确的有（）
A:外加正向电压时，正向电流对结电容充电
B:外加电压反向时，正向电流立即截至下降至0
C:外加反向电压时，电流对结电容充电
D:外加电压反向，正向电流不能立即降至0
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晶闸管具有以下哪三种极性？（）
A:阳极A
B:阴极K
C:门极K
D:栅极G
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IGBT具有以下哪三种极性？（）
A:门极K
B:栅极G
C:集电极C
D:发射极E
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相控整流电路的负载大致可以分为（）
A:电阻性负载
B:电感性负载
C:电容性负载
D:反电势负载
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以下描述中，哪几项不是电流型逆变器中间直流环节贮能元件？（）
A:电容
B:电感
C:蓄电池
D:电动机
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关于PWM控制的特点下列描述正确的是（）
A:谐波分量少
B:同时调节输出电压与频率
C:开关次数低
D:动态响应好
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三相桥式全控整流电路在任何时刻必须保证共阴极组和共阳极组各有一个晶闸管导通，才能构成导电回路。
A:错误
B:正确
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GTO与普通晶闸管的主要不同点在于GTO可用门极控制关断点。
A:错误
B:正确
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直流斩波器属于隔离型直直变换器。
A:错误
B:正确
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逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失，电源缺相，或是逆变角太小造成的。
A:错误
B:正确
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晶闸管的导通角与触发角成正比。
A:错误
B:正确
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功率二极管为半控型器件。
A:错误
B:正确
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双向晶闸管可以认为是一对反并联连接的普通晶闸管的集成。
A:错误
B:正确
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相控交交变频电路换流失败时，会造成交流电源的短路。
A:错误
B:正确
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单相桥式逆变电路与半桥相比，幅值增大了一倍，谐波成分也增大一倍。
A:错误
B:正确
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电流型逆变电路适合于谐波阻抗低、功率因数高的负载。
A:错误
B:正确
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直流斩波器主要是给直流电动机供电。
A:错误
B:正确
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单相桥式全控整流电路中，如果把电路中的两个晶闸管换成二极管，就组成了半相桥式半控整流电路。
A:错误
B:正确
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单相半桥逆变电路需要1个直流电源。
A:错误
B:正确
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三相逆变电路由3个带无功反馈二极管的全控开关构成。
A:错误
B:正确
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单极性SPWM调制波比双极性SPWM调制波的谐波分量要大些。
A:错误
B:正确
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正常使用功率二极管时，加在其正、负（交流电压的峰值）不能超过击穿电压。
A:错误
B:正确
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电流型逆变电路的直流侧电源为电压源。
A:错误
B:正确
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变压器漏抗会使整流装置的功率因数变好，整流输出电压提高。
A:错误
B:正确
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从外形进行区分，螺栓式晶闸管的粗辫子线为门极G。
A:错误
B:正确
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SPWM波形的生成方法主要有3种，分别是自然采样法，规则采样法，谐波消去法
A:错误
B:正确
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晶闸管是一个三层(PNPN)三端(A、K、奥鹏西南交通大学平时作业G)器件。
A:错误
B:正确
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IGBT的开关速度高于功率场效应管。
A:错误
B:正确
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IGCT的关断损耗低。
A:错误
B:正确
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电力MOSFET是双极性晶体管。
A:错误
B:正确
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三相半波可控整流电路又称为三相零式可控整流电路。
A:错误
B:正确
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单相半波可控整流电阻性负载与电感性负载电路中，移相范围不同。
A:错误
B:正确
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电力电子技术可看成是“强电控制弱电”的技术。
A:错误
B:正确
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交流变直流称为逆变。
A:错误
B:正确
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带阻性负载的单相桥式全控整流电路中，触发角为0时，功率因数也为0。
A:错误
B:正确
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晶闸管在正向阳极电压的作用下，一旦门极加入适当的信号，就可使晶闸管由“断态”变为“通态”。
A:错误
B:正确
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