北京交通大学《电力电子技术》期末考试必备题集

奥鹏期末考核

119397–北京交通大学《电力电子技术》奥鹏期末考试题库合集

单选题：
（1）准谐振电路中电压或电流的波形为（ ）。
A.正弦波
B.余弦波
C.正切波
D.余切波
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（2）晶闸管是（ ）电力电子器件。
A.半控型
B.全控型
C.整流型
D.逆变型
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（3）晶闸管的阳极伏安特性是指晶闸管阳极电流和（ ）之间的关系曲线。
A.阴极电压
B.阳极电压
C.阴极电流
D.阳极电阻
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（4）当移相控制角在0~/2范围内变化时，单相全波整流电路直流侧输出电压（ ）。
A.大于0
B.小于0
C.大于1
D.小于1
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（5）国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为（ ）下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。
A.30℃
B.40℃
C.50℃
D.60℃
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（6）增大热时间常数，则器件的瞬时功率容量（ ）。
A.增大
B.减小
C.不变
D.无关
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（7）GTO和GTR为（ ）驱动型器件。
A.电流
B.电压
C.电阻
D.电抗
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（8）晶闸管的门极触发电流从门极流入晶闸管，从（ ）流出。
A.阳极
B.阴极
C.正极
D.负极
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（9）三相四线交流调压电路各晶闸管门极触发脉冲，同相间两管的触发脉冲互差（ ）。
A.30
B.60
C.90
D.180
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（10）半桥式变换电路适用于输出功率范围为（ ）的变换电路。
A.数百瓦至数千瓦
B.数千瓦至数万瓦
C.数万瓦至数十万瓦
D.数十万瓦至数百万瓦
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（11）晶闸管的额定电压为正常工作时其所承受峰值电压的（ ）。
A.2~3倍
B.3~4倍
C.4~5倍
D.5~6倍
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（12）电流型三相桥式变换电路的基本工作方式是（ ）。
A.120导通
B.30导通
C.45导通
D.150导通
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（13）晶闸管的电流容量越大，要求的触发功率（ ）。
A.越小
B.越大
C.不变
D.无关
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（14）IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下的区段，温度系数（ ）。
A.大于0
B.小于0
C.大于1
D.小于1
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（15）随着门极电流幅值的增大，晶闸管开通所需要的正向电压在（ ）。
A.逐步增加
B.逐步降低
C.不变
D.先增大后降低
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（16）增强型功率MOSFET的输入阻抗最高可达（ ）。
A.105
B.108
C.1010
D.1015
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（17）二次击穿是指当GTR的（ ）电流增大到某个临界点时会突然急剧上升。
A.集电极电流
B.基极电流
C.正极电流
D.负极电流
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（18）熔断器的额定电流应（ ）熔体额定电流值。
A.大于等于
B.小于等于
C.大于
D.小于
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（19）GTR是用（ ）来控制集电极电流的。
A.基极电流
B.正极电流
C.负极电流
D.发射极电流
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（20）驱动损耗是指器件在开关过程中消耗在控制极上的功率及在导通过程中维持一定的控制极（ ）所消耗的损耗。
A.电压
B.电流
C.电阻
D.电抗
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（21）公共交流母线进线方式组成的三相交-交变频电路由（ ）彼此独立的交-交变频电路构成。
A.3
B.4
C.5
D.6
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（22）开关电源的效率通常可达（ ）以上。
A.75%
B.80%
C.85%
D.90%
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（23）三相桥式全控整流电路宽脉冲触发要求触发脉冲的宽度大于（ ）。
A.30
B.45
C.60
D.90
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（24）开通时间为延迟时间与（ ）之和。
A.上升时间
B.下降时间
C.流入时间
D.流出时间
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（25）单结晶体管的分压比为（ ）。
A.0.3~0.9
B.1.2~1.4
C.1.5~1.8
D.2.7~2.9
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（26）三相桥式全控整流电路要求触发脉冲为双脉冲，相邻两个脉冲间隔为（ ）。
A.30
B.45
C.60
D.90
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（27）当PN结上流过的正向电流较小时，二极管的电阻值为常量，管压降随正向电流的上升而（ ）。
A.增加
B.减少
C.先增加后减少
D.先减少后增加
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（28）单相半波可控整流电路带阻感性负载的移相范围为（ ）。
A.0~/6
B.0~/3
C.0~/2
D.0~
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（29）GRT关断时要经历储存时间和（ ）。
A.下降时间
B.上升时间
C.控制时间
D.释放时间
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（30）普晶闸管的关断时间为（ ）。
A.几微秒
B.几十微秒
C.几百微秒
D.几毫秒
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（31）奥鹏期末考核普通晶闸管延迟时间为（ ）。
A.0.5-1.5us
B.0.6-1.6us
C.0.7-1.7us
D.0.8-1.8us
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（32）断态重复峰值电压规定为断态不重复峰值电压的（ ）。
A.30%
B.40%
C.50%
D.90%
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（33）电流定额的安全裕量取（ ）倍。
A.1.2-1.5
B.1.5-2.0
C.2.0-2.5
D.2.5-3.0
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（34）门极可关断晶闸管是晶闸管的一种派生器件，它可以通过在（ ）施加负的脉冲电流使其关断，因而实现了全控。
A.门极
B.正极
C.负极
D.阴极
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（35）MCT通态压降只有GTR的（ ）。
A.1/2
B.1/3
C.1/4
D.1/5
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（36）单相桥式全控整流电路两组触发脉冲在相位上相差（ ）。
A.30
B.60
C.90
D.180
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（37）三相桥式逆变电路要求每（ ）依次触发晶闸管。
A.30
B.45
C.60
D.90
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（38）三相交-交变频电路是由3组输出电压相位彼此相差（ ）的单相输出交交变频电路组成的。
A.30
B.60
C.120
D.150
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（39）一般情况下，反激式变换电路的工作占空比D（ ）。
A.大于0.5
B.等于0.5
C.小于0.5
D.小于0.1
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（40）晶闸管的导通条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加（ ）。
A.正向电压
B.反向电压
C.正向电流
D.触发电流
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（41）晶闸管内部有( )个PN结。
A.1
B.2
C.3
D.4
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（42）晶闸管在电路中的门极正向偏压( )越好。
A.越大
B.越小
C.不变
D.越稳定
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（43）下列电力半导体器件电路符号中,表示IGBT器件电路符号的是( )。
A.
B.
C.
D.
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（44）比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是( )
A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.GTO
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（45）比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是( )
A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.GTO
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（46）下列半导体器件中属于电流型控制器件的是( )
A.IGBT
B.MOSFET
C.GTR
D.GTO
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（47）二极管两端加上正向电压时( )
A.一定导通
B.超过死区电压才导通
C.超过0.3V才导通
D.超过0.7V才导通
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（48）下列电力半导体器件电路符号中,表示GTO器件电路符号的是( )
A.
B.
C.
D.
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（49）下列电力半导体器件电路符号中,表示MOSFET器件电路符号的是( )
A.
B.
C.
D.
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（50）在晶闸管直流电动机调速系统中,改变( )就能改变直流电动机的转速。
A.整流方式
B.晶闸管导通角
C.电源电压
D.电源频率
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（51）在一般可逆电路中,最小逆变角min选在下面哪一种范围合理( )
A.300-350
B.100-150
C.00-100
D.00
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（52）在有源逆变电路中,逆变角的移相范围应选( )为最好
A.900-1800
B.350-900
C.00-900
D.100-200
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（53）三相全控桥式整流电路带电阻负载,当触发角=0o时,输出的负载电压平均值为( )。
A.0.45U2?
B.0.9U2?
C.1.17U2 ??
D.2.34U2
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（54）为( )度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。
A.0度
B.60度
C.30度
D.120度
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（55）逆变电路是一种( )变换电路。
A.AC/AC
B.DC/AC
C.DC/DC
D.AC/DC
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（56）采用多重化电压源型逆变器的目的,主要是为( )。
A.减小输出幅值
B.增大输出幅值
C.减小输出谐波
D.减小输出功率
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（57）功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定:集电极-发射极允许最高击穿电压,集电极最大允许直流功率线,集电极最大允许电流线和( )。
A.基极最大允许直流功率线
B.基极最大允许电压线
C.临界饱和线
D.二次击穿功率线
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（58）在晶闸管触发电路中,改变( )的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。
A.同步电压
B.控制电压
C.脉冲变压器变比
D.整流变压器变比电流型三相桥式
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（59）电流型三相桥式逆变电路,120导通型,则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂( )。
A.各一只
B.各二只
C.共三只
D.共四只
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（60）正弦波脉冲宽度调制英文缩写是( )。
A.PWM
B.PAM
C.SPWM
D.SPAM
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（61）IGBT属于( )控制型元件。
A.电流
B.电压
C.电阻
D.频率
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（62）变流装置的功率因数总是( )。
A.大于1
B.等于1
C.小于1大于0
D.为负
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（63）三相半波可控整流电路在换相时,换相重叠角的大小与哪几个参数有关( )。
A.、ID. XL、U2
B.、Id
C.、U2
D.、U2、XL
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（64）单相桥式可控整流电路,电阻—电感性负载时,加大负载电阻时,发生的变化是 ()。
A.输出电压增高
B.输出电压降低
C.输出电流增大
D.输出电流减小
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（65）单相桥式可控整流电路,电阻—电感性负载时,晶闸管承受的最大正向电压为 ()。
A.
B.
C.
D.
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（66）三相桥式可控整流电路,电阻性负载时,当负载电阻减小时,发生的变化是()。
A.输出电压增高
B.输出电压降低
C.输出电流增大
D.输出电流减小
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（67）能够对晶闸管进行过电流保护的措施是:()。
A.快速熔断器
B.压敏电阻
C.宽脉冲触发
D.双脉冲触发
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（68）三相桥式可控整流电路,电阻性负载时,加大负载电阻时,发生的变化是()。
A.输出电压增高
B.输出电压降低
C.输出电流增大
D.输出电流减小
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（69）可控整流电路的触发电路中,移相环节的主要作用是()。
A.确定触发角
B.确定脉冲数
C.确定自然换相点
D.确定能触发的晶闸管数量
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（70）单相半波可控整流电路,电阻性负载时,当触发角增大时,输出电压将如何变化()。
A.升高
B.降低
C.不变
D.波形平滑
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（71）在单相交流调压电路中,当连接电感性负载时,选用的普通晶闸管的连接方式是()。
A.同向串联
B.同向并联
C.反向串联
D.反向并联
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（72）电压调整率是指()。
A.电路输出的直流电压最大值与最小值之差
B.电路输出的直流电压最大值与最小值之比
C.额定电流下,电压降与理想空载电压之差
D.额定电流下,电压降与理想空载电压之比
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（73）晶闸管串联使用的主要目的是()。
A.提高电路的工作电压
B.提高电路的工作电流
C.提高晶闸管的开通速度,缩短开通时间
D.提高晶闸管的关断速度,缩短关断时间
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（74）以下电路中,属于单相半波可控整流电路,有续流二极管、电感性负载的是()。
A.
B.
C.
D.
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（75）三相桥式可控整流电路,电阻性负载时,当触发角增大时,输出电压将如何变化()。
A.升高
B.降低
C.不变
D.波形平滑
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多选题：
（1）电力二极管的主要类型有：（ ）。
A.普通二极管
B.快恢复二极管
C.肖特二极管
D.恢复二极管
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（2）电力二极管的主要参数有：（ ）。
A.正向平均电流
B.正向压降
C.反向重复峰值电压
D.最高工作结温
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（3）变频通常的方式有：（ ）。
A.交-直-交变换器
B.交-交变换器
C.交-直变换器
D.直-交-直变换器
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（4）准谐振电路可以分为：（ ）。
A.零电压开关准谐振电路
B.零电流开关准谐振电路
C.零电压开关多谐振电路
D.用于逆变器的谐振直流环节电路
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（5）以下电路可以实现DC-DC变换的是：（ ）。
A.斩波电路
B.逆变-整流电路
C.逆变电路
D.整流电路
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（6）晶闸管的均流措施主要包括（ ）。
A.挑选特性参数尽量一致的器件
B.采用均流电抗器
C.用门极强脉冲触发有助于动态均流
D.当需要同时串联和并联晶闸管时，通常采用先串后并的方法连接
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（7）压敏电阻的主要特性参数有：（ ）。
A.额定电压
B.残压比
C.允许的通流容量
D.额定电阻
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（8）电力MOSFET的主要参数有：（ ）。
A.漏极电压
B.漏极直流电流
C.栅源电压
D.极间电容
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（9）以下电子器件为全控型电力电子器件的是（ ）。
A.GTO
B.GTR
C.P-MOSFET
D.IGBT
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（10）以下为晶闸管触发电路应满足的要求为：（ ）。
A.触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通
B.触发脉冲应有足够的幅度
C.触发脉冲要满足主电路移相范围的要求
D.触发电路应有良好的抗干扰性
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（11）按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，可将电力电子器件分为：（ ）。
A.双极性器件
B.单极性器件
C.复合型器件
D.回路型器件
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（12）按照构成材料，电力电子器件可分为：（ ）。
A.电真空器件
B.半导体器件
C.晶闸管
D.IGBT
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（13）零开关PWM电路可分为：（ ）。
A.零电压开关PWM电路
B.零电流开关PWM电路
C.零电阻开关PWM电路
D.零电抗开关PWM电路
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（14）三相桥式有源逆变电路最小逆变角的选取需要考虑以下因素：（ ）。
A.换相重叠角
B.晶闸管关断时间所对应的电角度
C.安全裕量角
D.最小裕度角
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（15）IGBT的静态特性主要包括：（ ）。
A.转移特性
B.输出特性
C.输入特性
D.电阻特性
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（16）KC04集成移相触发器主要包括：（ ）。
A.同步电路
B.锯齿波形成电路
C.移相电路
D.脉冲形成和输出电路
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（17）直流变换电路的工作方式有：（ ）。
A.定频调宽
B.定宽调频
C.调频调宽
D.定压调频
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（18）三相交-交变频电路接线形式有：（ ）。
A.公共交流母线进线方式
B.输出星形联结方式
C.输入星形联结方式
D.单母线方式
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（19）常用的电流型变换电路有：（ ）。
A.单相桥式变换电路
B.三相桥式变换电路
C.单相整流电路
D.三相整流电路
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（20）电力场效应晶体管可分为：（ ）。
A.结型
B.绝缘栅型
C.电压型
D.电流型
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（21）逆变可分为：（ ）。
A.有源逆变
B.无源逆变
C.正向逆变
D.反向逆变
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（22）以下为开关电源的优点的为：（ ）。
A.效率高
B.体积小
C.输入交流电压的适应范围宽
D.电路形式灵活多样
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（23）按照控制方式，电力电子器件可分为：（ ）。
A.不可控器件
B.全控型器件
C.半控型器件
D.自动器件
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（24）常用的SPWM波形成方法有：（ ）。
A.自然采样法
B.数字控制法
C.模拟控制法
D.采用SPWM专用集成芯片
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（25）晶闸管的动态参数主要有：（ ）。
A.开通时间
B.关断时间
C.断态电压临界上升率
D.通态电流临界上升率
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（26）以下损耗为电子器件的功率损耗的是：（ ）。
A.开关损耗
B.通态损耗
C.断态损耗
D.驱动损耗
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（27）变换器采用的过电流保护方法有：（ ）。
A.交流进线电抗器
B.电流检测装置
C.直流快速开关
D.快速熔断器
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（28）在SPWM型逆变器中所采用的电力电子器件有：（ ）。
A.GTO
B.BJT
C.IGBT
D.MOSFET
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（29）同步调制控制方式的特点有：（ ）。
A.调制相对复杂，通常采用微机调制
B.调制简单
C.在调制信号的半个周期内，输出脉冲的个数是固定不变的
D.在调制信号的半个周期内，输出脉冲的个数是变化的
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（30）晶闸管伏安特性曲线包括：（ ）。
A.截止区
B.负阻区
C.饱和区
D.控制区
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（31）晶闸管的换流方式有：（ ）。
A.电网换流
B.负载换流
C.强迫换流
D.循环换流
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（32）电力电子器件在实际应用中，其组成包括：（ ）。
A.主电路
B.控制电路
C.驱动电路
D.门电路
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（33）按照驱动形式，电力电子器件可分为：（ ）。
A.电流驱动型
B.电压驱动型
C.电阻驱动型
D.电抗驱动型
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（34）按沟道半导体材料的不同，MOSFET可分为：（ ）。
A.P沟道
B.N沟道
C.S沟道
D.M沟道
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（35）以下触发方式可触发导通二极管的有：（ ）。
A.门极触发
B.光触发
C.电压触发
D.结温较高
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（36）脉宽调制的方法可分为：（ ）。
A.单极性调制
B.双极性调制
C.三极性调制
D.多极性调制
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（37）电力电子器件的发展趋势有：（ ）。
A.全控化
B.高频化
C.集成化
D.专用化
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（38）谐波的危害有：（ ）。
A.发电机、输电变压器发热增加
B.对晶闸管装置产生干扰
C.交流电动机的铁耗铜损增加
D.影响精密仪器测量精度
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（39）以下器件为晶闸管的派生器件的为：（ ）。
A.快速晶闸管
B.双向晶闸管
C.逆导晶闸管
D.光控晶闸管
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（40）电力变换通常分为：（ ）。
A.交流-直流变换
B.直流-交流变换
C.交流-交流变换
D.直流-直流变换
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（41）KC04集成移相触发器的主要技术参数有（ ）。
A.电源电压
B.脉冲幅值
C.移相范围
D.输出最大电流
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（42）电网波形畸变含有高次谐波主要会导致（ ）。
A.发电机.输电变压器发热增加
B.对晶闸管装置.敏感电气设备如通信.计算机系统产生干扰
C.对交流电动机产生脉动转矩
D.影响精密测量仪器精度
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（43）变换器根据相数可分为（ ）。
A.单相
B.二相
C.三相
D.四相
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（44）准谐振电路可以分为（ ）。
A.零电压开关准谐振电路
B.零电流开关准谐振电路
C.零电压开关多谐振电路
D.零电流开关多谐振电路
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（45）IGBT的输出特性可分为（ ）。
A.正向阻断区
B.有源区
C.饱和区
D.非线性区
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（46）选择最小逆变角时需要考虑以下因素（ ）。
A.换相重叠角
B.晶闸管关断时间所对应的电角度
C.安全裕量角
D.控制角
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（47）触发电路根据控制晶闸管的通断情况可分为（ ）。
A.移相触发
B.过零触发
C.过压触发
D.过流触发
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（48）直流斩波电路中最基本的电路是( )。
A.降压斩波电路
B.升压斩波电路
C.电流斩波电路
D.电压斩波电路
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（49）斩波电路的控制方式有( )。
A.脉冲控制
B.频率控制
C.混合控制
D.直流控制
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（50）电力二极管类型有( )。
A.普通二级管
B.快恢复二极管
C.肖特基二级管
D.品控管
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（51）调制法可分为( )。
A.同步调制
B.异步调制
C.总调制
D.分调制
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（52）电力电子器件总是工作在开关状态,其损耗包括( )。
A.通态损耗
B.断态损耗
C.开关损耗
D.一般损耗
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（53）PWM逆变电路的控制方式有( )。
A.正弦波
B.单项正弦波
C.双极性正弦波
D.余弦波
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判断题：
（1）电力电子器件所能处理电功率的大小，也就是其承受电压和电流的能力，是其最重要的参数。（ ）
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（2）在相同电压和电流定额的情况下，IGBT的安全工作区比GTR的大，且具有耐脉冲电流冲击能力。（ ）
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（3）交-交变频电路的缺点为：接线复杂，使用的晶闸管数量多。（ ）
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（4）电力二极管由于结电容存在，其零偏置、正向偏置和反向偏置三种状态之间转换必然有一个过渡过程。（ ）
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（5）直流斩波电路的主要功能是直流变压与调压，当输出电压的平均值低于输入电压的平均值时，称为降压斩波器。（ ）
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（6）当晶闸管的额定电压小于应用要求时，可以把两个以上同型号的晶闸管串联起来进行使用。（ ）
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（7）斩波开关频率越高，越容易用滤波器滤除电压中的纹波。（ ）
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（8）电力二极管是以半导体PN结为基础的。（ ）
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（9）电力电子技术包括电力电子器件、变流电路和控制技术3个部分。（ ）
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（10）当PN结外加正向电压时，多子的扩散运动大于少子的漂移运动，形成扩散电流。（ ）
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（11）逆变电路是把直流电逆变成交流电的电路。（ ）
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（12）三相桥式逆变电路要求每120依次触发晶闸管。（ ）
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（13）反向重复峰值电压是指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。（ ）
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（14）晶闸管最重要的特征是正向导通的可控性。（ ）
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（15）负载阻抗角表示负载中电压超前电流的角度。（ ）
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（16）将3个单相调压器接在对称的三相交流电源上，让其互差120相位工作，构成了一个三相交流调压电路。（ ）
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（17）降压斩波电路输出电压的平均值与输入电压之比，等于斩波电路开关的导通时间与斩波周期之比。（ ）
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（18）晶闸管一旦导通，其门极就失去控制作用。（ ）
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（19）在一定范围内，感性负载的导通角比电阻性负载的大，并随电感量的增加而增大。（ ）
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（20）通常所用的电能有直流(DC)和交流(AC)两大类。（ ）
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（21）单结晶体管触发电路结构简单，输出脉冲前沿陡，抗干扰能力强。（ ）
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（22）采用晶闸管作为开关器件组成的交流-交流变换电路只能实现降频、降压。（ ）
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（23）GTR是一种双极性的电流驱动器件，其通流能力很强，驱动电路简单。（ ）
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（24）单相半波可控整流电路具有线路简单的优点，其缺点是调整不方便。（ ）
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（25）在单相可控整流电路中，晶闸管从承受正向电压起到触发导通之间的电角度为控制角。（ ）
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（26）整流电路是能够直接将交流电能转换为直流电能的电路。（ ）
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（27）驱动电路需要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离。（ ）
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（28）变压器漏抗无法起到限制短路电流和抑制电流的目的。（ ）
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（29）电力电子器件一般都不工作在开关状态。（ ）
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（30）晶闸管的结构可由3个二极管的串联电路来进行等效。（ ）
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（31）浪涌电流是指电力二极管所能承受的最大的连续一个或几个工频周期的过电流。（ ）
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（32）电力电子器件的功率损耗大于信息电子器件的功率损耗。（ ）
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（33）PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现一定的电感效应。（ ）
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（34）交-交变频电路是不通过中间直流环节而将电网频率的交流电直接变换成不同频率的交流电的交流变换电路。（ ）
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（35）三相半波整流电路与单相半波整流电路相比，输出电压脉动小，输出功率大。（ ）
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（36）单相桥式全控整流电路具有输出电流脉动小，功率因数高的特点。（ ）
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（37）晶闸管在承受正向阳极电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才有可能被开通。（ ）
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（38）1947年，美国的贝尔实验室发明了晶体管，引发了电子技术的一场革命。（ ）
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（39）在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路被称为主电路。（ ）
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（40）三相桥式整流电路要求每60依次触发晶闸管。（ ）
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（41）DC-DC变换是将恒定直流变成断续脉冲输出，以改变其平均值。（ ）
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（42）目前，GTO的工作频率可达3~4kHz。（ ）
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（43）肖特基二极管的弱点为：当反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求。（ ）
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（44）在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通，而不是受门极电流控制而导通。（ ）
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（45）双向晶闸管在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向晶闸管在第I和第III象限有对称的伏安特性。（ ）
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（46）三相全控桥电路应采用宽于60的单宽脉冲或相隔60的双窄脉冲。（ ）
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（47）给晶闸管门极和阴极之间加正向电压它就会导通。( )
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（48）给晶闸管的阳极和阴极之间加反向电压,已经导通的晶闸管会截止。( )
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（49）给晶闸管的门极和阴极之间加反向电压,已经导通的晶闸管会截止。( )
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（50）双向晶闸管可用两个反并联的普通晶闸管代替。( )
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（51）KP30—9表示该晶闸管的额定电压是30V。( )
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（52）KP30—9表示该晶闸管的额定电流是30A。( )
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（53）电力电子器件在使用中必须要加散热器。( )
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（54）电力电子器件通常工作在开关状态。( )
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（55）晶闸管由截止状态进入到导通状态必须同时具备两个条件。( )
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（56）普通晶闸管为全控型器件,可关断晶闸管为半控型器件。( )
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（57）有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。( )
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（58）无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变。( )
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（59）三相桥式半控整流电路,带大电感性负载,有续流二极管时,当电路出故障时会发生失控现象。( )
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（60）电压型逆变电路,为了反馈感性负载上的无功能量,必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。( )
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（61）用多重逆变电路或多电平逆变电路,可以改善逆变电路的输出波形,使它更接近正弦波。( )
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（62）在普通晶闸管组成的全控整流电路中,带电感性负载,没有续流二极管时,导通的晶闸管在电源电压过零时不关断。( )
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（63）在桥式半控整流电路中,带大电感负载,不带续流二极管时,输出电压波形中没有负面积。( )
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（64）提高电力电子装置的工作频率,可以使电力电子装置的体积和重量减小。
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（65）在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中,电路出故障时会出现失控现象。()
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（66）在用两组反并联晶闸管的可逆系统,使直流电动机实现四象限运行时,其中一组逆变器工作在整流状态,那么另一组就工作在逆变状态。()
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（67）逆变角太大会造成逆变失败。()
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（68）有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。()
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（69）在三相半波可控整流电路中,电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。()
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（70）变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。()
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填空题：
（1）##的发展对电力电子技术的发展起着决定性的作用。
1、
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（2）##是通过从控制端注入或者抽出电压来实现导通或者关断控制的电力电子器件。
1、
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（3）由单极性器件和双极性器件集成混合而成的电力电子器件被称为##。
1、
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（4）电力二极管的基本结构和工作原理都是以##为基础的。
1、
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（5）##起作用需要一定的时间来储存大量的少子，在达到稳态导通前，管压降大。
1、
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（6）正向电流的上升会因器件自身的电感而产生较大的##。
1、
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（7）晶闸管在承受##时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才有可能被开通。
1、
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（8）##是能够直接将交流电能转换为直流电能的电路。
1、
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（9）##表示负载中电压超前电流的角度。
1、
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（10）##是不通过中间直流环节而将电网频率的交流电直接变换成不同频率的交流电的交流变换电路。
1、
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（11）斩波控制型DC-DC变换电路是一种DC到##的直接变换电路。
1、
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（12）直流变换电路的工作方式有##种。
1、
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（13）线性稳压电源的效率一般低于##。
1、
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（14）在三相交流-直流-交流变换器的直流-交流变换中，广泛应用的是##。
1、
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（15）电压型变换器直流环节的滤波主要应用##。
1、
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（16）PWM型逆变电路是靠改变##来控制输出电压的。
1、
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（17）##是由变换器拉闸.合闸等经常性操作中的电磁过程引起的电压
1、
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（18）##是由雷击等偶然原因引起，从电网进入变换器的过电压。
1、
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（19）功率损耗包括器件的开关损耗.通态损耗.断态损耗和##。
1、
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（20）##是指器件在开关过程中消耗在控制极上的功率及在导通过程中维持一定的控制极电流所消耗的功率。
1、
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（21）开关在控制电路的开通和关断过程中，会引起电压和电流的剧烈变化，并产生较大的开关损耗和开关噪声，这样的开关叫##。
1、
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（22）与硬开关电路相比，软开关电路中增加了谐振电感和##。
1、
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（23）准谐振电路中电压和电流的波形为##。
1、
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（24）零转换PWM电路可分为零电压转换PWM电路和##。
1、
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（25）将交流电转换为直流电，称为##。
1、
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（26）1957年，美国的通用电气公司研制出第一个##，标志着电力电子技术的诞生。
1、
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（27）目前电力半导体器件所采用的主要材料是##。
1、
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（28）普通二极管又称##，多用于开关频率不高的整流电路中。
1、
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（29）晶闸管的##主要是指晶闸管开通和关断过程中的特性。
1、
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（30）晶闸管的上升时间为##。
1、
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（31）GTR的关断时间在几##以内。
1、
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（32）在晶闸管-直流电动机系统中，如果串入负载电路的平波电抗器的电感量足够大，且电动机的负载电流也够大时，负载电流是平稳的##。
1、
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（33）交流调功电路的主电路与交流调压的相同，采用##。
1、
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（34）输出电压或输出电流皆可逆的斩波器为##。
1、
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（35）输出电压与输出电流的平均值在波形图中为导通期间的面积在一个周期内的##。
1、
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（36）要使绝缘栅双极型晶体管导通,应##。
1、
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（37）电力晶体管的开关频率##电力场效应管
1、
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（38）如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压为##。
1、
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（39）串联谐振式逆变器属于##。
1、
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（40）并联谐振式逆变器属于##。
1、
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（41）通过变流器把直流电能变成某一频率或可调频率的交流电能直接供给负载,称为##。
1、
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（42）在有源逆变电路中,当控制角0?????????时,电路工作在##状态;?时,电路工作在##状态。
1、
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2、
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（43）逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类,当直流侧是电压源时,称此电路为##,当直流侧为电流源时,称此电路为##。
1、
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2、
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（44）在正弦波和三角波的自然交点时刻控制开关器件的通断,这种生成SPWM波形的方法称##,实际应用中,采用##来代替上述方法,在计算量大大减小的情况下得到的效果接近真值。
1、
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2、
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（45）电子技术包括##和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
1、
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（46）为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在##状态。当器件的工作频率较高时,##损耗会成为主要的损耗。
1、
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2、
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（47）在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为##,当它为常数时的调制方式称为##调制。
1、
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2、
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（48）电力电子器件组成的系统,一般由主电路、## 、 ## 三部分组成。
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2、
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（49）斩波电路有三种控制方式:## 、## 和混合型调制。
1、
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2、
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（50）改变频率的电路称为##,变频电路有交交变频电路和##电路两种形式。
1、
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2、
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（51）把直流电变成交流电的电路称为##,当交流侧有电源时称为 ##。
1、
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2、
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（52）##存在二次击穿现象,##存在擎住现象。
1、
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2、
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（53）晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是 ## 措施。
1、
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（54）晶闸管的内部结构包含##层半导体,##个PN结。
1、
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（55）晶闸管的导通条件是:(1)阳极和阴极外加##电压;(2)控制极外加合适的##。
1、
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2、
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（56）晶闸管导电特点是:(1)##;(2)具有##。
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2、
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（57）单相全控桥式整流带电阻性负载的电路中,晶闸管控制角的移相范围为##,晶闸管可能承受的最大电压为##。
1、
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（58）电力晶体管(GTR)的输出特性曲线可分为三个区:##、和##饱和区。
1、
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（59）单结管的伏安特性曲线如图,V点称为##, V点对应的电压称为##。
1、
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（60）当发射极电压等于峰点电压时单结管##,发射极电压小于谷点电压时单结管##。
1、
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（61）单相全控桥式整流带电感性负载的电路中,为了扩大移相范围,去掉输出电压的负值,以提高输出电压值,常在负载两端并联##。
1、
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（62）在规定条件下,晶闸管所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值,称为晶闸管的##。
1、
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（63）逆变电路分为##和##两类。
1、
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2、
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（64）可关断晶闸管(GTO)外加电压为正向电压时,对门极加正向触发脉冲, GTO##,当GTO已处于导通状态时,对门极加负的触发脉冲,GTO##。
1、
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2、
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（65）将50Hz的工频交流电直接变换成其他频率的交流电,—般输出频率均小于工频频率,这种直接变频的方式称为##。
1、
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计算题：
（1）单相桥式全控整流电路，=100V，负载中R=2，L值极大，反电势E=60V，当时，求整流输出平均电压.电流，变压器二次侧电流有效值。
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（2）
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（3）
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（4）
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（5）
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（6）某晶闸管接在220V交流回路中,通过器件的电流有效值为100A,试选择晶闸管的额定电压和额定电流。
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（7）额定电流100A的两只普通晶闸管反并联,若用双向晶闸管代替,其额定电流是多少?
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论述题：
（1）造成电力二极管和信息电子电路中的普通二极管区别的主要因素有哪些？
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（2）IGBT的特性和参数特点有哪些？
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（3）三相桥式全控整流电路的工作特点有哪些？
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（4）与晶闸管串联的快速熔断器的选用一般遵循什么原则？
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（5）同步调制控制方式的特点有哪些？
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（6）过电压保护方法有哪些？
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简答题：
（1）按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，电力电子器件可分为哪几种？
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（2）晶闸管的动态参数有哪些？
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（3）GTR的主要参数有哪些？
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（4）电力MOSFET的主要参数有哪些？
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（5）IGBT擎住效应的防止措施有哪些？
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（6）动态均压的措施有哪些？
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（7）什么是晶闸管的维持电流？
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（8）晶闸管并联时均流的措施主要有哪些？
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（9）交流-直流-交流的变频原理是什么？
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（10）简述晶闸管的导通.关断条件。
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（11）双向晶闸管有哪几种触发方式?
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（12）逆变失败的主要原因是什么?
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（13）SPWM调制方式是怎样实现变压功能的?
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（14）变压器漏抗对整流电路有什么影响?
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（15）缓冲电路的作用是什么?
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（16）什么是异步调制?什么是同步调制?两者各有何特点?分段同步调制有什么优点?
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（17）什么是软开关?采用软开关技术的目的是什么?
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（18）什么是换相重叠角?换相重叠角是什么原因造成的?
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（19）换流方式各有那几种?各有什么特点?
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（20）交交变频电路的主要特点和不足是什么?其主要用途是什么?
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（21）单相全控桥式整流带电感性负载的电路中,并联续流二极管的作用是什么?
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（22）什么是电压型逆变电路?输出交流电压、交流电流的波形有什么特点?
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（23）晶闸管导通后,通过晶闸管电流的大小与电路中哪些参数有关?
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（24）什么是电流型逆变电路?输出交流电压、交流电流的波形有什么特点?
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名词解释：
（1）安全工作区
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（2）逆变失败
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（3）PWM技术
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（4）掣住电流
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（5）晶闸管的额定电流
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（6）SPWM
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