【期末高分题集】[西安交通大学]《电子技术基础》考核必备67

奥鹏期末考核

116541–科目名《电子技术基础奥鹏期末考试题库合集

单选题：
（1）某集成存储器有11根地址线和4根数据线，则其存储容量大小为（ ）
A.1k8
B.2k8
C.1k4
D.2k4
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（2）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（3）具有定时功能的电路是（ ）。
A.多谐振荡器
B.双稳态触发器
C.单稳态触发器
D.施密特触发器
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（4）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（5）在数字系统中，为了把模拟量转换为数字量，应采用的集成器件是（ ）。
A.D/A转换器
B.A/D转换器
C.计数器
D.译码器
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（6）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（7）图示桥式整流电路，变压器副边电压u2有效值为200V，负载电阻RL为100W，则变压器副边电流i2的有效值大小为( )。
A.2A
B.1.8A
C.2.22A
D.2.4A
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（8）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（9）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（10）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（11）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（12）共发射极放大电路的特点是（ ）。
A.输入电阻大、输出电阻小；
B.电压放大倍数大，输出电阻小；
C.输入输出电压反相，具有功率放大能力；
D.输入输出电压同相，电压放大倍数大
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（13）为了将1k4的RAM扩展为4k8的RAM，所需的1k4的RAM片数为（ ）
A.2片
B.4片
C.6片
D.8片
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（14）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（15）某10位A/D转换器的参考电压为10V，则该A/D转换器能分辨出的输入模拟电压的最小变换量为( )。
A.4.88mV
B.9.76mV
C.19.53mV
D.39.06mV
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（16）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（17）存储容量为8k8的ROM，其地址线数和位线数分别为（ ）。
A.12和7
B.8和12
C.8和13
D.13和8
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（18）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（19）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（20）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（21）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（22）组合逻辑电路如图所示，输出逻辑函数F的逻辑表达式为( )。
A.A
B.B
C.C
D.D
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（23）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（24）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（25）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（26）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（27）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（28）存储容量为的ROM，其地址线数和位线数分别为（ ）。
A.12和7
B.8和12
C.8和13
D.13和8
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（29）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（30）在数字系统中，为了把数字量转换为模拟量，应采用的集成器件是（ ）。
A.D/A转换器
B.A/D转换器
C.计数器
D.译码器
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（31）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（32）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（33）某D/A转换器的参考电压为10V，如要求其最小输出电压不大于9.766mV，则该D/A转换器的位数至少应为( )。
A.8位
B.9位
C.10位
D.11位
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（34）为了提高放大电路的效率和带负载能力，多级放大电路的输出级常采用（ ）。
A.互补对称功率放大电路
B.三极管差动放大电路
C.共发射极放大电路
D.共集电极放大电路
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（35）把0~10V的模拟电压转换为数字量，如果要求能分辨出10mV的输入变化量，则A/D转换器的位数至少应为( )。
A.10位
B.11位
C.9位
D.8位
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（36）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（37）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（38）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（39）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（40）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（41）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（42）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（43）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（44）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（45）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（46）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（47）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（48）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（49）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（50）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（51）共发射极放大电路及其输入、输出电压波形如图所示，为了消除失真，应（ ）。
A.增加RB的阻值
B.增加RC的阻值
C.增加UCC的值
D.增加ui的幅值
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（52）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（53）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（54）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（55）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（56）运放组成的放大电路如图所示，RF引入的级间反馈类型为（ ）。
A.串联电压负反馈
B.串联电流负反馈
C.并联电压负反馈
D.并联电流负反馈
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（57）
A.A
B.B
C.C
D.D
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（58）已知晶体管的输入信号为正弦波,下图所示输出电压波形产生的失真为( )。
A.饱和失真
B.交越失真
C.截止失真
D.频率失真
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（59）能使输出电流稳定的是( )。
A.串联负反馈
B.电压负反馈
C.并联负反馈
D.电流负反馈
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（60）晶体管三极管放大条件是( )。
A.发射结要正向偏置
B.发射结要正向偏置，集电结要反向偏置
C.集电结要反向偏置
D.发射结要反向偏置，集电结要正向偏置
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（61）集成运放工作在线性放大区,由理想工作条件得出两个重要规律是( )。
A.U+=U-=0,i+=i-
B.U+=U-=0,i+=i-=0
C.U+=U-,i+=i-=0
D.U+=U-=0,i+≠i-
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（62）测得工作在放大状态的某三极管的三个极1、2、3对地电位分别如下:V1=0V,V2=-5V,V3=-0.3V,则可判断( )。
A.该管为NPN管，材料为硅，1极为集电极
B.该管为NPN管，材料为锗，2极为集电极
C.该管为PNP管，材料为硅，1极为集电极
D.该管为PNP管，材料为锗，2极为集电极
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（63）编码器、译码器为( )。
A.组合逻辑电路
B.时序逻辑电路
C.A和B
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（64）在要求放大电路有最大不失真输出信号时,应该把静态工作点设置在( )。
A.交流负载线的中点
B.交流负载线的上端
C.直流负载线的中点
D.直流负载线的上端
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（65）构成计数器的基本电路是( 奥鹏期末考核)。
A.或非门
B.与非门
C.与或非门
D.触发器
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（66）集成单稳态触发器的暂稳维持时间取决于( )。
A.触发脉冲宽度
B.电源电压
C.外接定时电阻电容
D.稳态时间
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（67）用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1=2V,V2=6V,V3=2.7V ,由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为( )。
A.PNP管，CBE
B.NPN管，ECB
C.NPN管，CBE
D.PNP管，EBC
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（68）甲类单管功率放大电路中结构简单,但最大的缺点是( )。
A.有交越失真
B.易产生自激
C.效率低
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（69）对一般触发器,当满足时,为何功能( )。
A.记数
B.保持
C.不定
D.置0、置1
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（70）利用分配律写出C+DE的等式为( )。
A.(C+D)(C+E)
B.CD+CE
C.C+D+E
D.CDE
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（71）采用差动放大电路是为了( )。
A.稳定电压放大倍数
B.增加带负载的能力
C.提高输入阻抗
D.克服零点漂移
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（72）八输入端的编码器按二进制数编码时,输出端的个数是( )。
A.2个
B.3个
C.4个
D.8个
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（73）稳压二极管的正常工作状态是( )。
A.导通状态
B.截止状态
C.反向击穿状态
D.任意状态
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（74）若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管( )。
A.集电极电流减小
B.集电极与发射极电压VCE上升
C.集电极电流增大
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（75）对一般触发器,当满足时,为何功能( )。
A.记数
B.保持
C.不定
D.置0、置1
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（76）P型半导体是在本征半导体中加入微量的( )元素构成的。
A.三价
B.四价
C.五价
D.六价
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（77）由与非门组成的RS触发器不允许输入的变量组合为( )。
A.00
B.01
C.10
D.11
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（78）正弦波振荡器的振荡频率f取决于( )。
A.放大电路的放大倍数
B.反馈网络元件的参数
C.正反馈的强弱
D.电源电压的高低
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（79）和逻辑式表示不同逻辑关系的逻辑式是( )。
A.
B.
C.
D.
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（80）理想二极管在单相桥式整流电路(电阻负载)中承受的最大反向电压是( )。
A.大于
B.小于
C.等于
D.大于，小于2
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（81）放大器功率放大倍数为100,问功率增益是多少分贝( )。
A.10dB
B.20dB
C.30dB
D.40dB
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（82）稳压二极管的正常工作状态是( )。
A.导通状态
B.截止状态
C.反向击穿状态
D.任意状态
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（83）双稳态触发器的类型有()。
A.基本RS触发器
B.同步RS触发器
C.主从式触发器
D.前三种都有
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（84）触发器与组合逻辑门电路比较( )。
A.两者都有记忆能力
B.只有组合逻辑门电路有记忆功能
C.只有触发器有记忆功能
D.两者都无记忆能力
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（85）一共射极放大电路的NPN三极管工作在饱和导通状态,其发射结电压和集电结电压 分别为( )。
A.
B.
C.
D.
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（86）在电路的基本组成中,电源的的作用是( )
A.消耗电能
B.提供电能
C.传输电能
D.控制电路状态
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（87）某三相反应式步进电动机的步距角为1.5?,如驱动电动机的脉冲频率为2000HZ,则电动机的转速为( )。
A.500r/min
B.600r/min
C.750r/min
D.1000r/min
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（88）电流的形成是指
A.自由电子的定向移动
B.正电荷的定向移动
C.电荷的自由移动
D.电荷的定向移动
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（89）1安培等于( )微安
A.103
B.106
C.109
D.102
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（90）下列关系式正确的是( )
A.Uab=Va-Vb
B.Uab= Vb-Va
C.Uab=Va
D.Uab= Vb
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（91）电路由( )和开关四部分组成。
A.电源、负载、连接导线
B.发电机、电动机、母线
C.发电机、负载、架空线路
D.电动机、灯泡、连接导线
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（92）下列设备中,一定是电源的为( )
A.电动机
B.冰箱
C.蓄电池
D.白炽灯
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（93）电位的单位是( )
A.A
B.V
C.W
D.P
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（94）电流的单位是( )
A.A
B.V
C.W
D.P
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（95）1微安等于( )安
A.10-3
B.10-6
C.103
D.106
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（96）电路的三种状态是指通路、断路和( )
A.开路
B.短路
C.回路
D.支路
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（97）650mA等于( )
A.65A
B.65A
C.6.5105A
D.6.5105 A
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（98）在电动机的继电接触器控制电路中,实现延时控制功能的电器是( )。
A.热继电器
B.熔断器
C.中间继电器
D.时间继电器
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（99）下列不是电流的单位的是 ( )
A.mA
B.A
C.KA
D.V
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（100）电压的符号是( )
A.A
B.I
C.V
D.U
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（101）已知Va=10V,Vb=6V,则Uab等于( )
A.4V
B.16V
C.-4V
D.6V
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（102）电路主要由负载、导线、电源和( )组成
A.变压器
B.开关
C.发电机
D.仪表
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（103）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( )
A.掺杂浓度
B.工艺
C.温度
D.晶体缺陷
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（104）实验中如果测得二极管的正反向电阻都很小,则该二极管( )
A.正常
B.内部断路
C.已被击穿
D.其他都不是
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（105）稳压二极管正常工作时,工作在( )区
A.正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
D.不确定
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（106）对PN结中的正、负离子(电荷)描述正确的是:( )
A.带电且参与导电
B.带电但不参与导电
C.不带电，不导电
D.不确定
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（107）单相桥式整流滤波电路中,二极管导通时间为( )
A.半个周期
B.整个周期
C.电容充电时间
D.电容放电时间
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（108）单相桥式整流滤波电路中,若变压器副绕组电压有效值为10V,而测得输出电压为
14.1V,则说明:( )
A.电容开路
B.负载开路
C.电容击穿
D.二极管损坏
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（109）单相半波整流电路输出电压平均值U0= ( )
A.0.45U2
B.0.9U2
C.1.1U2
D.1.2U2
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（110）三极管值是反映( )能力的参数。
A.电压控制电压
B.电流控制电流
C.电压控制电流
D.电流控制电压
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（111）某工作在放大状态的三极管,当基极电流IB由60A降低到40A时,集电极电流IC由2.3mA降低到1.5mA,则此三极管的动态电流放大系数为( )
A.37.5
B.38.3
C.40
D.57.5
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（112）温度上升时,半导体三极管的( )
A.ICBO增大，UBE下降
B.UBE增大，ICBO减小
C.ICBO和UBE增大
D.ICBO和UBE减少
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（113）对TTL与非门电路多余的输入端子,不可以( )
A.接高电位
B.与有用输入端子并联
C.接地
D.通过 电阻接地
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（114）固定式偏置电路与分压式偏置电路在稳定性上相比( )
A.前者比后者稳定
B.后者比前者稳定
C.二者稳定性相同
D.无法判断
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（115）抑制零点漂移的最有效的电路是( )
A.差分放大电路
B.阻容耦合电路
C.直接耦合电路
D.功放电路
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（116）要增大放大电路的输入电阻时,应引入( )反馈
A.电压反馈
B.电流反馈
C.串联负反馈
D.并联负反馈
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（117）利用二极管进行偏置的OTL电路是( )
A.甲类功率放大器
B.乙类功率放大器
C.甲乙类功率放大器
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（118）哪一类功率放大电路在一个周期内只有半个周期iC>0?( )
A.甲类
B.乙类
C.甲乙类
D.不确定
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（119）在模拟电路中,晶体管的工作状态为:( )
A.饱和
B.放大
C.饱和或放大
D.饱和或截止
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判断题：
（1）射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。（ ）
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（2）双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（ ）
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（3）微分运算电路中的电容器接在电路的反相输入端。（ ）
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（4）“虚地”是指该点与“地”点相接后具有“地”点的电位。（ ）
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（5）双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。
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（6）P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
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（7）PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
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（8）若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是发射结反偏、集电结反偏。（ ）
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（9）共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180的反相关系。
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（10）自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
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（11）放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。（ ）
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（12）分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是虚断。（ ）
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（13）基本放大电路通常都存在零点漂移现象。
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（14）双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。
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（15）用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R10K档位。（ ）
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（16）N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。（ ）
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（17）集成运放使用时不接负反馈电路中的电压增益称为开环电压增益。（ ）
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（18）设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。（ ）
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（19）设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。（ ）
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（20）集成运放在开环状态下输入与输出之间存在线性关系。（ ）
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（21）集成运放一般分为两个工作区，它们分别是线性与非线性区。（ ）
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（22）集成运放的反相输入端为虚地时，同相端所接的电阻起平衡作用。（ ）
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（23）“虚地”现象只存在于反相的线性应用运放电路中。（ ）
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（24）正弦电流经过二极管整流后的波形为仍为正弦。（ ）
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（25）正弦交流电变化一周,就相当于变化了2rad。( )
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（26）两只电容器的电容不等,而它们两端的电压一样,则电容大的电容器带的电荷量多,电容小的电容器带的电荷量少。( )
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（27）在直流电源中,把电流输出的一端称为电源的正极。( )
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（28）功率因数在数值上是有功功率和无功功率之比。( )
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（29）判断线圈中电流产生的磁场方向,可用右手螺旋定则。( )
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（30）电容器具有阻止交流电通过的能力。( )
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（31）电压表应并联接入线路中。( )
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（32）正弦交流电的有效值等于2倍最大值。( )
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（33）差动放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。
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（34）共射放大电路输出波形出现上削波,说明电路出现了饱和失真。
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（35）放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。
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（36）共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。
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（37）射极输出器是典型的电压串联负反馈放大电路。
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（38）为削除交越失真,通常要给功放管加上适当的正向偏置电压,使基极存在的微小的正向偏流,让功放管处于微导通状态,从而消除交越失真。这一正向偏置电压越大越好。
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（39）“虚地”现象只存在于反相的线性应用运放电路中。
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（40）电压比较器的输出电压只有两种数值。
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（41）“虚地”是指该点与“地”点相接后具有“地”点的电位。
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（42）集成运放不但能处理交流信号也能处理直流信号。
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（43）集成运放在开环状态下输入与输出之间存在线性关系。
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（44）同相输入和反相输入的运放电路都存在“虚地”现象。
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主观填空题：
（1）如果放大电路的静态基极电流太大,会产生##失真。
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（2）NPN型三极管工作在放大区时,电位最高的是集电极,电位最低的是##极。
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（3）射极输出器中,输入电压和输出电压的相位是##。
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（4）稳压管是一种特殊物质制造的##接触型##二极管,工作在特性曲线的反向击穿区。
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（5）组合逻辑电路当前的输出变量状态由输入变量的组合状态来决定,与原来状态##。
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（6）硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为##和##。
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（7）对JK触发器,当JK=01时, Qn+1=##,对T触发器,当T=0时,Qn+1= ##。
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（8）集成运放有两个输入端,称为##输入端和##输入端,相应有##、##和##三种输入方式。
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（9）时序逻辑电路主要包含计数器和寄存器两大类型,其原理电路由##和##构成。
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（10）与非门构成的基本RS触发器,当时,其Q输出是##。
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（11）逻辑函数的两种最基本的表示形式是##和##。
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（12）三极管输出特性曲线指的是基极电流为一定时,讨论##和##之间的关系。
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（13）稳压二极管一般要串##进行工作的。
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（14）MOS管在不使用时应避免##极悬空,务必将各电极短接。
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