奥鹏云南开放大学第3形考作业4（客观）9

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20春第3学期形考作业4（客观）

传感器测量系统的目的是（ ）。
A:感受和传输
B:监测和控制
C:检测和传输
D:感受和控制
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红外辐射的基本特点描述错误的是（）。
A:红外辐射俗称红外线，它是一种不可见光。
B:光谱中最大光热效应区。
C:红外辐射和所有电磁波一样，是以波的形式在空间直线传播的。
D:红外线在通过大气层时，有三个波段透过率低，是2～2.6m、3～5 m和8～14 m。
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压电式传感器目前多用于测量（ ）。
A:静态的力或压力
B:动态的力或压力
C:温度
D:速度
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如图所示，R 1为定值电阻，R 2为负温度系数的热敏电阻（负温度系数热敏电阻是指阻值随温度的升高而减小的热敏电阻），L为小灯泡，当温度降低时（ ）
A:R 1两端的电压增大
B:电流表的示数增大
C:小灯泡的亮度变强
D:小灯泡的亮度变弱
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在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）
A:外光电效应
B:光生伏打效应
C:光电子发射效应
D:光电导效应
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利用热电偶测温时，只有在（ ）条件下才能进行.
A:分别保持热电偶两端温度恒定
B:保持热电偶两端温差恒定
C:保持热电偶冷端温度恒定
D:保持热电偶热端温度恒定
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光敏元件中（ ）是直接输出电压的
A:光敏电阻
B:光电池
C:光敏晶体管
D:光导纤维
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有关热电偶特性的说明错误的是（）。
A:只有当热电偶两端温度不同,热电偶的两导体材料不同时才能有热电势产生。
B:导体材料确定后，热电势的大小只与热电偶两端的温度有关。
C:只有用不同性质的导体(或半导体)才能组合成热电偶
D:热电偶回路热电势与组成热电偶的材料及两端温度有关；也与热电偶的长度、粗细有关。
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不属于气敏传感器类型的是（）
A:接触燃烧式
B:金属氧化物半导体
C:氧化锆
D:氯化锂
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如图所示为小型电磁继电器的构造示意图，其中L为含铁芯的线圈．P为可经O点转动的铁片，K为弹簧，S为一对触头，A、B、C、D为四个接线柱．电磁继电器与传感器配合，可完成自动控制的要求．其工作方式是（）
A:A与B接信号电压，C与D可跟被控电路串联
B:A与B接信号电压，C与D可跟被控电路并联
C:C与D接信号电压，A与B可跟被控电路串联
D:C与D接信号电压，A与B可跟被控电路并联
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热电偶中的电动势主要是由（ ）组成
A:感应电动势
B:温差电动势
C:接触电动势
D:切割电动势
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自感式传感器分为（ ）两种。
A:变隙式和变面积式
B:变介质和变面积式
C:变隙式和变介质式
D:变面积式和变极距式
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热电偶可以测量（ ）。
A:压力
B:电压
C:温度
D:热电势
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一个热电偶产生的热电势为E0，当打开其冷端串接与两热电极材料不同的第三根金属导体时，若保证已打开的冷端两点的温度与未打开时相同，则回路中热电势（ ）.
A:增加
B:减小
C:增加或减小不能确定
D:不变
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测量范围大的电容式位移传感器的类型为（）
A:变极板面积型
B:变极距型
C:变介质型
D:容栅型
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传感器测量系统的目的是（）。
A:感受和传输
B:监测和控制
C:检测和传输
D:感受和控制
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应变式传感器用电桥做转换电路，理论上电桥输出带有非线性误差的是 （ ）
A:单臂电桥
B:半桥
C:全桥
D:半桥和全桥
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目前，我国生产的铂热电阻，其初始电阻值有（ ）。
A:30
B:50
C:100
D:40
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利用热电偶测温时，只有在（ ）条件下才能进行
A:分别保持热电偶两端温度恒定
B:保持热电偶两端温差恒定
C:保持热电偶冷端温度恒定
D:保持热电偶热端温度恒定
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如图所示，R 1为定值电阻，R 2为负温度系数的热敏电阻（负温度系数热敏电阻是指阻值随温度的升高而减小的热敏电阻），L为小灯泡，当温度降低时（ ）
A:R 1两端的电压增大
B:电流表的示数增大
C:小灯泡的亮度变强
D:小灯泡的亮度变弱
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压电晶片的连接方式中串联接法（）
A:输出电压大，本身电容小，适宜用于以电压作输出信号
B:输出电荷大，本身电容大，时间常数大
C:输出电压小，本身电容大，适宜用于以电压作输出信号
D:输出电荷小，本身电容小，时间常数大
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电涡流在金属导体中的形成范围为（ ）
A:传感器线圈外径附近
B:传感器线圈内径附近
C:表面
D:表面且传感器线圈外径附近
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一个热电偶产生的热电势为，当打开其冷端串接与两热电极材料不同的第三根金属导体时，若保证已打开的冷端两点的温度与未打开时相同，则回路中热电势（ ）
A:增加
B:减小
C:增加或减小不能确定
D:不变
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在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）
A:外光电效应
B:光生伏打效应
C:光电子发射效应
D:光电导效应
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在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（ ）.
A:外光电效应
B:光生伏打效应
C:光电子发射效应
D:光电导效应
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电阻应变片配用的测量电路中，为了克服分布电容的影响，多采用（ ）。
A:直流平衡电桥
B:直流不平衡电桥
C:交流平衡电桥
D:交流不平衡电桥
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对同一被测量进行多次重复测量时，绝对值和符号不可预知地随机变化，但总体上误差服从一定的统计规律，这种误差称为（）。
A:相对误差
B:随机误差
C:绝对误差
D:系统误差
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光敏二极管工作时，其上（ ）.
A:加正向电压
B:加反向电压
C:不需加电压
D:加正向、反向电压都可以
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天然石英晶体受到机械轴（Y-Y 轴）方向的作用力时，（ ）压电效应。
A:法线x 方向的平面产生
B:法线y 方向的平面产生
C:不产生
D:导致逆向
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电容传感器等效电路电容的实际相对变化量为（）。
A:
B:
C:
D:
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（）是表征光纤集光本领的一个重要参数，即反映光纤接收光量的多少。
A:纤芯
B:入射角
C:数值孔径
D:折射角
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变面积式（如右图）自感传感器输出特性为（）。
A:
B:
C:
D:
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光栅位移传感器上出现莫尔条纹的条件是（ ）
A:两块栅距相等的光栅叠在一起
B:两块光栅的刻线之间有较大的夹角
C:两块光栅的刻线之间有较小的夹角
D:两块光栅的刻线之间必须平行
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如图所示为一测定液面高低的传感器示意图，A为固定的导体芯，B为导体芯外面的一层绝缘物质，C为导电液体，把传感器接到图示电路中，已知灵敏电流表指针偏转方向与电流方向相同。如果发现指针正向右偏转，则导电液体的深度h变化为（）
A:h正在增大
B:h正在减小
C:h不变
D:无法确定
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光电管和光电倍增管的特性主要取决于（ ）
A:阴极材料
B:阳极材料
C:玻璃壳材料
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光敏二极管工作时，其上（）
A:加正向电压
B:加反向电压
C:不需加电压
D:加正向、反向电压都可以
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按敏感元件与被测对象之间的能量关系，传感器可分为（ ）传感器。
A:温度型和速度型
B:物性型和结构型
C:机械型和电子型
D:能量转换型和能量控制型
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材料电阻率，电子迁移率为，控制电流为I和磁场强度为B，霍尔片厚度为d，则霍尔电势与这几个参数间关系为( )。
A:
B:
C:
D:
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用电容式传感器测量固体或液体物位时，应该选用（ ）
A:变间隙式
B:变面积式
C:变介电常数式
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利用相邻双臂桥检测的应变式传感器，为使其灵敏度高、非线性误差小（ ）
A:两个桥臂都应当用大电阻值工作应变片
B:两个桥臂都应当用两个工作应变片串联
C:两个桥臂应当分别用应变量变化相反的工作应变片
D:两个桥臂应当分别用应变量变化相同的工作应变片
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霍尔效应中，霍尔电势与（）
A:霍尔常数成正比
B:霍尔常数成反比
C:霍尔元件的厚度成正比
D:霍尔元件的厚度成反比
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霍尔效应中，霍尔电势与（）
A:激励电流成正比
B:激励电流成反比
C:磁感应强度成正比
D:磁感应强度成反比
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如图所示是利用硫化镉制成的光敏电阻自动计数的示意图，其中A是发光仪器，S是光敏电阻（光照时电阻会变小），下列说法中正确的是（）
A:当传送带上没有物品挡住由A射向B的光信号时，光敏电阻的阻值变小，电压表读数变小
B:当传送带上没有物品挡住由A射向B的光信号时，光敏电阻的阻值变大，电压表读数变大
C:当传送带上有物品挡住由A射向B的光信号时，光敏电阻的阻值变小，电压表读数变小
D:当传送带上有物品挡住由A射向B的光信号时，光敏电阻的阻值变大，电压表读数变大
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电容式传感器是用来将各种非电信号转变为电信号的装置．由于电容器的电容C取决于极板正对面积S、极板间距离d以及极板间的电介质这几个因素，当某一物理量发生变化时就能引起上述某个因素的变化，从而又可推出另一个物理量的值，如图是四种电容式传感器的示意图，关于这四个传感器的作用下列说法正确的是 （）
A:甲图的传感器可以用来测量角度
B:乙图的传感器可以用来测量液面的高度
C:丙图的传感器可以用来测量压力
D:丁图的传感器可以用来测量速度
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通常用差动变压器传感器测量（ ）。
A:位移
B:振动
C:加速度
D:厚度
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热电偶回路的热电势有##和##组成。
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硅光电池的结构是在N型硅片上渗入P型杂质形成一个大面积##而成。
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导体或半导体材料在外界力的作用下产生机械变形时，其电阻值相应发生变化的现象，称##。
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一应变片，所受应变为1000，若取Ks=3，n=1，非线性误差为##
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利用电涡流位移传感器测量转速时，被测轴齿盘的材料必须是##。
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