奥鹏云南开放大学第3形考作业1（客观）8

奥鹏云南开放大学平时在线作业

20春第3学期形考作业1（客观）

对红外辐射的基本特点描述错误的是（）。
A:红外辐射俗称红外线，它是一种不可见光。
B:光谱中最大光热效应区。
C:红外辐射和所有电磁波一样，是以波的形式在空间直线传播的。
D:红外线在通过大气层时，有三个波段透过率低，是2～2.6m、3～5m和8～14m。
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测量范围大的电容式位移传感器的类型为（）
A:变极板面积型
B:变极距型
C:变介质型
D:容栅型
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为了减小非线性误差，采用差动变隙式电感传感器，其灵敏度和单线圈式传感器相比，( )。
A:降低二倍
B:降低一倍
C:提高二倍
D:提高一倍
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光电管和光电倍增管的特性主要取决于（ ）
A:阴极材料
B:阳极材料
C:玻璃壳材料
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在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（ ）
A:外光电效应
B:光生伏打效应
C:光电子发射效应
D:光电导效应
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热电偶可以测量（ ）。
A:压力
B:电压
C:温度
D:热电势
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压电晶片的连接方式中串联接法（ ）
A:输出电压大，本身电容小，适宜用于以电压作输出信号
B:输出电荷大，本身电容大， 时间常数大
C:输出电压小，本身电容大，适宜用于以电压作输出信号
D:输出电荷小，本身电容小， 时间常数大
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光敏电阻适于作为（）。
A:光的测量元件
B:光电导开关元件
C:加热元件
D:发光元件
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光敏二极管工作时，其上（ ）.
A:加正向电压
B:加反向电压
C:不需加电压
D:加正向、反向电压都可以
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按敏感元件与被测对象之间的能量关系，传感器可分为（ ）传感器。
A:温度型和速度型
B:物性型和结构型
C:机械型和电子型
D:能量转换型和能量控制型
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压电式传感器目前多用于测量（ ）。
A:静态的力或压力
B:动态的力或压力
C:温度
D:速度
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如图所示，R 1为定值电阻，R 2为负温度系数的热敏电阻（负温度系数热敏电阻是指阻值随温度的升高而减小的热敏电阻），L为小灯泡，当温度降低时（）
A:R 1两端的电压增大
B:电流表的示数增大
C:电流表的示数增大
D:小灯泡的亮度变弱
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电阻应变片的初始电阻数值有多种,其中用的最多的是 （ ）。
A:60
B:120
C:200
D:350
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有关热电偶的几点结论错误的是（ ）。
A:只有当热电偶两端温度不同,热电偶的两导体材料不同时才能有热电势产生。
B:导体材料确定后，热电势的大小只与热电偶两端的温度有关。
C:只有用不同性质的导体(或半导体)才能组合成热电偶
D:热电偶回路热电势与组成热电偶的材料及两端温度有关；与热电偶的长度、粗细有关。
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变间隙式电容传感器的非线性误差与极板间初始距离d0之间是（　　　）。
A:正比关系
B:反比关系
C:无关系
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如图所示，R 1为定值电阻，R 2为负温度系数的热敏电阻（负温度系数热敏电阻是指阻值随温度的升高而减小的热敏电阻），L为小灯泡，当温度降低时（ ）
A:R 1两端的电压增大
B:电流表的示数增大
C:小灯泡的亮度变强
D:小灯泡的亮度变弱
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按敏感元件与被测对象之间的能量关系，传感器可分为（ ）传感器。
A:温度型和速度型
B:物性型和结构型
C:机械型和电子型
D:能量转换型和能量控制型
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光敏二极管在电路中一般是处于（）工作状态
A:正向
B:截至
C:反向
D:导通
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电容传感器等效电路电容的实际相对变化量为（）。
A:
B:
C:
D:
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压电传感器的等效电路，（ ）。
A:可以等效为电压源，不可等效为电荷源
B:可以等效为电压源，不可等效为电荷源
C:既不可等效为电压源，也不可等效为电荷源
D:既可等效为电压源，也可等效为电荷源
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光敏二极管接入反向偏压的电路中，能把光信号转换成电信号，在其敏感的光谱范围内，光的照度越大，光电流（ ）。
A:越大
B:越小
C:不变
D:变化方向不确定
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影响压电式加速度传感器低频响应能力的是（ ）
A:电缆的安装与固定方式
B:电缆的长度
C:前置放大器的输出阻抗
D:前置放大器的输入阻抗
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光敏三极管工作时（ ）。
A:基极开路、集电结反偏、发射结正偏
B:基极开路、集电结正偏、发射结反偏
C:基极接电信号、集电结正偏、发射结反偏
D:基极接电信号、集电结反偏、发射结正偏
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自感式传感器分为（ ）两种。
A:变隙式和变面积式
B:变介质和变面积式
C:变隙式和变介质式
D:变面积式和变极距式
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一个热电偶产生的热电势为，当打开其冷端串接与两热电极材料不同的第三根金属导体时，若保证已打开的冷端两点的温度与未打开时相同，则回路中热电势（ ）
A:增加
B:减小
C:增加或减小不能确定
D:不变
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对同一被测量进行多次重复测量时，绝对值和符号不可预知地随机变化，但总体上误差服从一定的统计规律，这种误差称为（）。
A:相对误差
B:随机误差
C:绝对误差
D:系统误差
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单色光的波长越短，它的（ ）
A:频率越高，其光子能量越大
B:频率越低，其光子能量越大
C:频率越高，其光子能量越小
D:频率越低，其光子能量越小
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有关热电偶特性的说明错误的是（）。
A:只有当热电偶两端温度不同,热电偶的两导体材料不同时才能有热电势产生。
B:导体材料确定后，热电势的大小只与热电偶两端的温度有关。
C:只有用不同性质的导体(或半导体)才能组合成热电偶
D:热电偶回路热电势与组成热电偶的材料及两端温度有关；也与热电偶的长度、粗细有关。
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固体半导体摄像元件CCD是一种（）
A:PN结光电二极管电路
B:PNP型晶体管集成电路
C:MOS型晶体管开关集成电路
D:NPN型晶体管集成电路
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用电容式传感器测量固体或液体物位时，应该选用（ ）
A:变间隙式
B:变面积式
C:变介电常数式
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一个热电偶产生的热电势为E0，当打开其冷端串接与两热电极材料不同的第三根金属导体时，若保证已打开的冷端两点的温度与未打开时相同，则回路中热电势（ ）.
A:增加
B:减小
C:增加或减小不能确定
D:不变
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电涡流式传感器激磁线圈的电源是 （ ）。
A:直流
B:工频交流
C:高频交流
D:低频交流
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目前，我国生产的铂热电阻，其初始电阻值有（ ）。
A:30
B:50
C:100
D:40
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一个热电偶产生的热电势为，当打开其冷端串接与两热电极材料不同的第三根金属导体时，若保证已打开的冷端两点的温度与未打开时相同，则回路中热电势（ ）
A:增加
B:减小
C:增加或减小不能确定
D:不变
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光栅位移传感器上出现莫尔条纹的条件是（ ）
A:两块栅距相等的光栅叠在一起
B:两块光栅的刻线之间有较大的夹角
C:两块光栅的刻线之间有较小的夹角
D:两块光栅的刻线之间必须平行
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在光线作用下，半导体电导率增加的现象属于（ ）
A:外光电效应
B:内光电效应
C:光生伏打效应
D:光电发射
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对热电偶传感器，形成热电势的必要条件是： ( )
A:两种导体材料不同；节点所处的温度不同
B:两种导体材料相同；节点所处的温度不同
C:两种导体材料不同；节点所处的温度相同
D:两种导体材料相同；节点所处的温度相同
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天然石英晶体受到机械轴（Y-Y 轴）方向的作用力时，（ ）压电效应。
A:法线x 方向的平面产生
B:法线y 方向的平面产生
C:不产生
D:导致逆向
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压电传感器的等效电路，（）。
A:可以等效为电压源，不可等效为电荷源
B:可以等效为电压源，不可等效为电荷源
C:既不可等效为电压源，也不可等效为电荷源
D:既可等效为电压源，也可等效为电荷源
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热电偶可以测量（ ）。
A:压力
B:电压
C:温度
D:热电势
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通常用差动变压器传感器测量（ ）。
A:位移
B:振动
C:加速度
D:厚度
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利用光敏电阻制作的光传感器，记录了传送带上工件的输送情况，如图甲所示为某工厂成品包装车间的光传感记录器，光传感器B能接收到发光元件A发出的光，每当工件挡住A发出的光时，光传感器输出一个电信号，并在屏幕上显示出电信号与时间的关系，如图乙所示，若传送带始终匀速运动，每两个工件间的距离为0.2 m，则下述说法正确的是（）
A:传送带运动的速度是0.1 m/s
B:传送带运动的速度是0.2 m/s
C:该传送带每小时输送3600个工件
D:该传送带每小时输送7200个工件
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霍尔效应中，霍尔电势与（）
A:激励电流成正比
B:激励电流成正比
C:磁感应强度成正比
D:磁感应强度成反比
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电容式传感器是用来将各种非电信号转变为电信号的装置．由于电容器的电容C取决于极板正对面积S、极板间距离d以及极板间的电介质这几个因素，当某一物理量发生变化时就能引起上述某个因素的变化，从而又可推出另一个物理量的值，如图是四种电容式传感器的示意图，关于这四个传感器的作用下列说法正确的是 （）
A:甲图的传感器可以用来测量角度
B:乙图的传感器可以用来测量液面的高度
C:丙图的传感器可以用来测量压力
D:丁图的传感器可以用来测量速度
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如图所示是利用硫化镉制成的光敏电阻自动计数的示意图，其中A是发光仪器，S是光敏电阻（光照时电阻会变小），下列说法中正确的是（）
A:当传送带上没有物品挡住由奥鹏云南开放大学平时在线作业A射向B的光信号时，光敏电阻的阻值变小，电压表读数变小
B:当传送带上没有物品挡住由A射向B的光信号时，光敏电阻的阻值变大，电压表读数变大
C:当传送带上有物品挡住由A射向B的光信号时，光敏电阻的阻值变小，电压表读数变小
D:当传送带上有物品挡住由A射向B的光信号时，光敏电阻的阻值变大，电压表读数变大
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螺线管式差动变压器传感器在活动衔铁位于##时，输出电压应该为零.实际不为零，称它为##
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传感元件是只感受由##元件输出的，并且与被测量成确定关系的##，然后输出##的元件。
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压电效应分为##效应和##效应。
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传感器静态特性的一个重要指标。传感器输出量增量y与引起输出量增量y的相应输入量增量x之比称为传感器的##，是传感器静态特性的一个重要指标。
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由于压电传感器的基片主要有##和##两种类型，它们一般具有较大的介电常数，电极间的距离也不大，所以压电传感器可以等效为一只##。
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