奥鹏远程教育华中师大《模拟电路》在线作业

奥鹏华中师范大学平时在线作业

华师《模拟电路》在线作业-0005

在（ ）三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，输出特性曲线比较平坦，近似为水平的直线。
A:截止区
B:放大区
C:饱和区
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为了增大放大电路的输入电阻，应引入（ ）负反馈。
A:电压
B:电流
C:串联
D:并联
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对于放大电路，在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ ），则说明引入的反馈是正反馈。
A:净输入量增大
B:净输入量减小
C:输入电阻增大
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当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。
A:增大
B:不变
C:减小
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直流负反馈是指（ ）
A:直接耦合放大电路中所引入的负反馈
B:只有放大直流信号时才有的负反馈
C:在直流通路中的负反馈
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当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（ ）.
A:集电极最大允许功耗ＰＣＭ
B:集电极最大允许电流ＩＣＭ
C:集－基极反向击穿电压Ｕ（ＢＲ）ＣＢＯ
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为了减小放大电路的输出电阻，应引入（ ）负反馈。
A:电压
B:电流
C:串联
D:并联
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电流串联负反馈可以（ ）。
A:稳定输出电压并使ri升高
B:稳定输出电压并使ro升高
C:稳定输出电流并使ro升高
D:稳定输出电流并使ro降低
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稳压二极管构成的稳压电路，其接法是（ ）。
A:稳压二极管与负载电阻串联
B:稳压二极管与负载电阻并联
C:限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联
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在输入量不变的情况下，若引入反馈后( )，则说明引入的反馈是负反馈。
A:输入电阻增大
B:输出量增大
C:净输入量增大
D:净输入量减小
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当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）。
A:前者反偏、后者也反偏
B:前者正偏、后者反偏
C:前者正偏、后者也正偏
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欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（ ）。
A:电压串联负反馈
B:电压并联负反馈
C:电流串联负反馈
D:电流并联负反馈
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当负载变化时，要使输出电流稳定不变，并可提高输入电阻，应引入（ ）负反馈
A:电压并联
B:电流并联
C:电压串联
D:电流串联
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本征半导体中的自由电子浓度( )空穴浓度
A:大于
B:小于
C:等于
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半导体PN结在外加反向电压时，对其电流的形成无影响的是（ ）
A:多子
B:温度
C:少子
D:漂移运动
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改变输入电阻和输出电阻，应引入（ ）。
A:直流负反馈
B:交流负反馈
C:正反馈
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串联型稳压电路中的放大环节放大的对象是（ ）。
A:基准电压
B:取样电压
C:基准电压与取样电压之差
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电子电路中常用的半导体器件有（ ）。
A:二极管
B:稳压管
C:双极型三极管
D:其他选项都选
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功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大( )
A:交流功率
B:直流功率
C:平均功率
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有一晶体管的极限参数：PCM=150mW，ICM=100mA，U（BR）CEO=30V。若工作电压UCE=1V，则工作电流IC不得超过（ ）mA.
A:15
B:100
C:30
D:150
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对于硅晶体管来说其死区电压约为( )
A:0.1
B:0.5
C:0.7
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温度升高，晶体管的管压降|UBE|（ ）
A:升高
B:降低
C:不变
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在本征半导体中加入（ ）元素可形成N型半导体。
A:五价
B:四价
C:三价
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为了稳定放大电路的静态工作点，应引入（ ）。
A:直流负反馈
B:交流负反馈
C:正反馈
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为了增大放大电路的输出电阻，应引入（ ）负反馈。
A:电压
B:电流
C:串联
D:并联
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某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为5A和5 mA，输出端接2k电阻负载，测量到正弦电压信号峰—峰值1V，则AI( )。
A:46dB
B:40dB
C:43dB
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稳压管的稳压区是其工作在（ ）。
A:正向导通
B:反向截止
C:反向击穿
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集成运放电路采用直接耦合方式是因为（ ）
A:可获得很大的放大倍数
B:可使温漂小
C:集成工艺难于制造大容量电容
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二极管加正向电压时，其正向是由（ ）。
A:多数载流子扩散形成
B:多数载流子漂移形成
C:少数载流子漂移形成
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在固定式偏置电路中，若偏置电阻RB的值增大了，则静态工作点Q将（ ）。
A:上移
B:下移
C:不动
D:上下来回移动
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NPN三极管的输出特性曲线，一般将IB≤0的区域称为（ ），三极管的发射结和集电结都处于反向偏置状态。
A:截止区
B:放大区
C:饱和区
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在（ ）三极管发射结和集电结都处于正向偏置状态，管子的集电极电流基本不随基极电流变化。
A:截奥鹏华中师范大学平时在线作业止区
B:放大区
C:饱和区
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在非线性失真中，饱和失真也称为().
A:顶部失真
B:底部失真
C:双向失真
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对于放大电路，所谓开环是指（ ）。
A:无信号源
B:无反馈通路
C:无电源
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引入负反馈后，不能改善的是（ ）
A:提高放大倍数的稳定性
B:增加通频带宽度
C:减少放大器的非线性失真
D:减少小信号源的波形失真
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PN结加正向电压时，空间电荷区将( ) 。
A:变窄
B:基本不变
C:变宽
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欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（ ）。
A:电压串联负反馈
B:电压并联负反馈
C:电流串联负反馈
D:电流并联负反馈
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双极型三极管有两种类型：NPN型和PNP型，无论何种类型，内部均包含（ ）PN结，并引出（ ）电极。
A:一个 两个
B:两个 三个
C:两个 两个
D:三个 两个
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在深度负反馈时，放大器的放大倍数（ ）
A:仅与基本放大器有关
B:仅与反馈网络有关
C:与二者密切相关
D:与二者均无关
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共模信号是指大小相等，极性（ ）的信号。
A:相同
B:相反
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纯净的、不含其他杂质的半导体称为（ ）。
A:本征半导体
B:杂质半导体
C:电子型半导体
D:空穴型半导体
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要提高放大器的带载能力，提高输入电阻，应引入（ ）负反馈
A:电压并联
B:电流并联
C:电压串联
D:电流串联
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当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将( )。
A:增大
B:不变
C:减小
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欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（ ）。
A:电压串联负反馈
B:电压并联负反馈
C:电流串联负反馈
D:电流并联负反馈
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三极管实现放大作用的内部结构条件是：发射区掺杂浓度（ ），基区（ ），且掺杂浓度（ ）。
A:很高 很薄 很低
B:很低 很薄 很高
C:很高 很厚 很低
D:很低 很厚 很高
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稳压二极管是利用PN结的（ ）。
A:单向导电性
B:反向击穿性
C:电容特性
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UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（ ）。
A:结型管
B:增强型MOS管
C:耗尽型MOS管
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在电压放大电路的高频截止频率点，电压增益比中频区增益下降3dB，这时在相同输入电压条件下，与中频区比较，输出电压下降为（ ）。
A:1
B:10
C:1.414
D:0.707
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温度影响了放大电路中的（ ），从而使静态工作点不稳定。
A:电阻
B:电容
C:三极管
D:电源
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简单的差分放大器双端输出时，对（ ）信号有较强的抑制能力，而对（ ）信号有较强的放大作用。
A:共模 差模
B:差模 共模
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