新学期奥鹏教育西南交通大学《电子技术》在线作业二
奥鹏西南交通大学平时作业
西南交《电子技术》在线作业二
电压负反馈使输出电阻_________。
A:减少
B:增大
C:不变
D:为零
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多级放大电路与单级放大电路相比,电压增益和通频带_________。
A:电压增益减小,通频带变宽
B:电压增益减小,通频带变窄
C:电压增益提高,通频带变宽
D:电压增益提高,通频带变窄
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漂移运动:在电场作用下,载流子 ________的 ________运动。
A:无规则,定向
B:有规则,定向
C:有规则,不定向
D:无规则,定向
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在共射分压偏置电路中,欲使晶体管的基极电压稳定,应满足( )关系。
A:I1≈IB
B:I2IB
C:IBI2
D:I2=IB
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有10101的二进制代码,表示十进制数为________。
A:11
B:20
C:21
D:25
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PN 结加反向电压时,PN结变宽,反向电流________,反向电阻________,PN结处于截止状态 。
A:较大,较小
B:较小,较大
C:较大,较大
D:较小,较小
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半导体中的少数载流子产生的原因是_________。
A:外电场
B:内电场
C:掺杂
D:热激发
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晶体管组成的共射基本放大电路,当温度急剧升高电路工作点及电路将( )
A:Q点上移,易产生饱和失真
B:Q点下移,易产生截止失真
C:Q点上移,易产生截止失真
D:Q点下移,易产生饱和失真
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如果将小信号电压放大电路中的晶体三极管的基极和集电极短路,则( )。
A:管子饱和
B:发射结反偏
C:管子截止
D:集电结正偏
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微变等效电路法适用于( )。
A:放大电路的静态和动态分析
B:放大电路的静态分析
C:放大电路的动态分析
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集成运放应用于信号运算时工作( )区域。
A:截至区
B:线性区
C:非线性区
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带射极电阻Re的共射放大电路,在并联交流旁路电容Ce,后其电压放大倍数( )
A:减小
B:增大
C:不变
D:变为零
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在饱和区,发射结处于________偏置,集电结也处于________偏置。
A:正向,正向
B:正向,反向
C:反向,反向
D:反向,正向
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测得某三极管C、B、E极电位分别是10V、6V、5.3V,则该管工作在( )状态
A:放大
B:饱和
C:截止
D:不确定
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理想情况下,差动放大器的差模输入电阻为________。
A:1
B:0
C:无穷
D:100
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共集电极放大电路的特点是( )。
A:输入电阻很小,输出电阻很大
B:输入电阻很大,输出电阻很小
C:电压放大倍数很高
D:可用作振荡器
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说晶体管具有放大电流的功能,是指它在电路中采用( )
A:共发射极接法
B:共基极接法
C:共集电极接法
D:任何接法
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若放大器的输出信号既发生饱和失真又发生截止失真,则原因是( )。
A:静态工作点太高
B:静态工作点过低
C:输入信号幅度过大
D:输入信号幅度过小
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PN结具有________。
A:单向导电性,其导电的方向是从P到N
B:单向导电性,其导电的方向是从N到P
C:双向导电性
D:以上都不对
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在放大电路中引入负反馈可使其通频带展宽约下列数中值最大的为()。
A:(1+AF)倍
B:1/(1+AF)倍
C:(1-AF)倍
D:AF倍
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晶体管主要参数描述正确的是?________
A:常用晶体管的放大倍数值在20 ~ 200之间。100左右为宜
B:集-基极反向截止电流越小越好
C:集-射极反向截止电流受温度影响较大
D:三极管的温度特性较差
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共发射极电路的截止区描述正确的?_________
A:发射结处于反向偏置
B:发射结处于正向偏置
C:集电结处于反向偏置
D:集电结处于正向偏置
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二极管伏安特性说法正确的? ________
A:外加电压大于反向击穿电压,二极管被击穿,失去单向导电性
B:外加电压大于死区电压,二极管才能导通
C:二极管是理想的,正向导通时正向管压降为零
D:二极管是理想的,反向截止时二极管相当于断开
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集成运算放大器的组成?_________
A:输入级:输入电阻高,能减小零点漂移和抑制干扰信号,都采用带恒流源的差放
B:中间级:要求电压放大倍数高。常采用带恒流源的共发射极放大电路构成
C:输出级:与负载相接,要求输出电阻低,带负载能力强,一般由互补对称电路或射极输出器构成
D:输入级和输出级,中间级是一个集成运算放大器的基本组成
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关于杂质半导体中多子和少子说法正确的? _________
A:多子的数量与温度有关
B:多子的数量与参杂浓度有关
C:少子的数量与温度有关
D:少子的数量与参杂浓度有关
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共发射极电路实现放大的条件? _________
A:晶体管必须工作在放大区。发射结正偏,集电结反偏
B:正确设置静态工作点,使晶体管工作于放大区
C:输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流
D:输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压,经电容耦合只输出交流信号
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CMOS电路的优点? ________
A:静态功耗低
B:抗干扰能力强
C:允许电源电压范围宽
D:带负载能力强
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三极管放大的外部条件?_________
A:集电结反偏
B:集电结正偏
C:发射结正偏
D:发射结发偏
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逻辑函数的化简的好处?_________
A:可使用较少的逻辑门实现同样的逻辑功能
B:可节省器件,降低成本
C:利用逻辑代数变换,可用不同的门电路实现相同的逻辑功能
D:不能提高电路工作的可靠性
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关于半导体三极管说法正确的?_________
A:按照结构可以划分为NPN型和PNP型
B:集电区面积最大
C:发射区掺杂浓度最高
D:基区掺杂浓度最低
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共发射极电路的饱和区描述正确的?_________
A:发射结处于反向偏置
B:发射结处于正向偏置
C:集电结处于正偏
D:集电结处于反偏
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组合逻奥鹏西南交通大学平时作业辑电路的分析步骤?_________
A:由逻辑图写出输出端的逻辑表达式
B:运用逻辑代数化简或变换
C:列逻辑状态表
D:分析逻辑功能
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温度变化对静态工作点的影响有哪些?_________
A:当温度升高时, 放大电路输出特性曲线上移
B:当温度升高时, 放大电路输出特性曲线下移
C:当温度升高时, 晶体管容易进入饱和区,造成饱和失真
D:温度升高时,一般不会烧坏三极管
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按其导电类型可将场效应晶体管分为____ 和____ 两种,按其导电沟道的形成过程可分为____ 和____ 两种
A:N沟道
B:P沟道
C:耗尽型
D:增强型
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共发射极电路的放大区描述正确的?_________
A:发射结处于正向偏置
B:集电结处于反向偏置
C:晶体管工作于放大状态也称为线性区,具有恒流特性
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放大电路对信号的放大作用是利用三极管的电压控制作用来实现的。
A:错误
B:正确
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三极管的输入输出特性和主要参数与温度无关。
A:错误
B:正确
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载流子的两种运动分别为扩散运动和聚合运动。
A:错误
B:正确
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利用稳压管的反向击穿特性可以稳定直流电压。
A:错误
B:正确
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三极管的基区很厚,且掺杂比较高。
A:错误
B:正确
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在N型半导体中空穴是多数载流子。
A:错误
B:正确
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共集电极放大电路的输出电阻很大。
A:错误
B:正确
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反向电流越大,二极管的单向导电性越好。
A:错误
B:正确
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A、B两个输入变量中只要有一个为1,输出就为1,当A、B均为0时输出才为0,则该逻辑运算称为与运算。
A:错误
B:正确
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放大器件是电子电路的核心。
A:错误
B:正确
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发光二极管的亮度与正向电流无关。
A:错误
B:正确
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通常将纯净的,晶格完整的半导体称为杂质半导体。
A:错误
B:正确
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逻辑代数所表示的是数量关系,而不是逻辑关系。
A:错误
B:正确
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三极管正偏时基极电流不能太大,以免发射结烧坏。
A:错误
B:正确
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TTL门电路是双极型集成电路,与分立元件相比,具有速度快、可靠性高和微型化等优点。
A:错误
B:正确
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